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2SB1375,CLARIONF(M	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：TO-220-3 整包类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 60V 3A TO220NIS	Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
2SB1375	文件：142.74 Kbytes Page：5 Pages	SiliconPNPTripleDiffusedType	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SB1375	文件：200.82 Kbytes Page：4 Pages	SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-220Fpackage •Complementtotype2SD2012 •Lowcollectorsaturationvoltage: VCE(SAT)=-1.5V(Max)atIC=-2A,IB=-0.2A •Collectorpowerdissipation: PC=25W(TC=25℃) APPLICATIONS •Audiofrequencypoweramplifier	JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 泉州锦美泉州锦美电子有限公司	JMNIC
2SB1375	文件：247.94 Kbytes Page：4 Pages	SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-220Fpackage •Complementtotype2SD2012 •Lowcollectorsaturationvoltage: VCE(SAT)=-1.5V(Max)atIC=-2A,IB=-0.2A •Collectorpowerdissipation: PC=25W(TC=25℃) APPLICATIONS •Audiofrequencypoweramplifier	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SB1375	文件：157.7 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(AUDIOFREQUENCYPOWERAMPLIFIER) AudioFrequencyPowerAmplifier •Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=−1.5V(max) (IC=−2A,IB=−0.2A) •Highpowerdissipation:PC=25W(Tc=25°C) •Collectormetal(fin)iscoveredwithmoldresin •Complementaryto2SD2012	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SB1375	文件：170.91 Kbytes Page：4 Pages	SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-220Fpackage •Complementtotype2SD2012 •Lowcollectorsaturationvoltage: VCE(SAT)=-1.5V(Max)atIC=-2A,IB=-0.2A •Collectorpowerdissipation: PC=25W(TC=25℃) APPLICATIONS •Audiofrequencypoweramplifier	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SB1375	文件：249.61 Kbytes Page：4 Pages	SiliconPNPPowerTransistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SB1375	文件：352.73 Kbytes Page：2 Pages	TO-220-3LPlastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES •HighPowerDissipation:PC=25W(TC=25℃) •Lowvoltage:VCE(sat)=-1.5V(Max)(IC=-2A,IB=-0.2A) •CollectorMetal(Fin)isCoverdwithMoldRegin •Complementaryto2SD2012	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
2SB1375	文件：1.03826 Mbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaTO-220FPlasticPackage. Descriptions SiliconPNPtransistorinaTO-220FPlasticPackage. Features LowVCE(sat),HighPC,complementarypairwith2SD2012. Applications Audiofrequencypoweramplifierapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
2SB1375	文件：126.49 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=-60V(Min) •CollectorPowerDissipation- :Pc=25W@Tc=25°C •LowCollectorSaturationVoltage- :VCE(sat)--1.5V(Max)@(\|c=-2A,IB=-0.2A) •ComplementtoType2SD2012 APPLICATIONS •Designedforaudiofrequencypo	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
2SB1375	文件：1.0731 Mbytes Page：3 Pages	TO-220-3LPlastic-EncapsulateTransistors FEATURES HighPowerDissipation:PC=25W(TC=25℃) Lowvoltage:VCE(sat)=-1.5V(Max)(IC=-2A,IB=-0.2A) CollectorMetal(Fin)isCoverdwithMoldRegin Complementaryto2SD2012	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ

产品属性

产品编号：
2SB1375,CLARIONF(M
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.5V @ 200mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 500mA，5V
频率 - 跃迁：
9MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商器件封装：
TO-220NIS
描述：
TRANS PNP 60V 3A TO220NIS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SB1375,CLARIONF(M供应商更新时间2024-6-4 15:00:00

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