Low VCE(sat).VCE(sat) = -0.5V (Typ.)(IC/IB = -2A / -0.2A), Complements the 2SD1760 / 2SD1864.

Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = -0.5V (Typ.) (IC/IB = -2A / -0.2A) 2) Complements the 2SD1760 / 2SD1864. Structure Epitaxial planar type PNP silicon transistor

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罗姆

Power Transistor (-60V, -3A)

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Power Transistor (−60V, −3A)

1) Low VCE(sat).\n   VCE(sat) = -0.5V (Typ.)\n   (IC/IB = -2A / -0.2A)\n2) Complements the 2SD1760 / 2SD1864.Structure\n   Epitaxial planar type\n   PNP silicon transistor;

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Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：TRANS PNP 50V 3A CPT3

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Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：TRANS PNP 60V 3A CPT3

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Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：TRANS PNP 50V 3A CPT3

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