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2SB1182	文件：757.83 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaTO-252PlasticPackage. Descriptions SiliconPNPtransistorinaTO-252PlasticPackage. Features LowVCE(sat),complementsthe2SD1758. Applications Mediumpoweramplifierapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
2SB1182	文件：538.33 Kbytes Page：11 Pages	MEDIUMPOWERTRANSISTOR(-32V,-2A)	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SB1182	文件：93.7 Kbytes Page：4 Pages	MediumpowerTransistor(-32V,-2A) ●Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=-0.5V(Typ.) (IC/IB=-2A/-0.2A) 2)Complementsthe2SD1766/ 2SD1758/2SD1862/2SD1189F/ 2SD1055/2SD1919/SD1227M. ●Structure Epitaxialplanartype PNPsilicontransistor	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SB1182	文件：39.98 Kbytes Page：1 Pages	MediumPowerTransistor ■Features ●LowVCE(sat).VCE(sat)=-0.5V ●Complementaryto2SD1758	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SB1182	文件：124.57 Kbytes Page：4 Pages	MediumPowerTransistor(32V,2A) FTR•FTL Lowprofileflat-packageforlimitedspeceapplications. Tapetypecanbeusedonautomatedline.Bulktypeisalsoavailable.	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SB1182	文件：1.13367 Mbytes Page：5 Pages	PNPPLASTICENCAPSULATETRANSISTORS PNPPLASTICENCAPSULATETRANSISTORS PbLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
2SB1182D	文件：263.59 Kbytes Page：2 Pages	PNPSiliconGeneralPurposeTransistor FEATURES The2SB1182DXisdesignedformediumpoweramplifierapplication Lowcollectorsaturationvoltage:VCE(sat)=-0.5V(Typ.) RoHSCompliantProduct	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SB1182P	文件：538.33 Kbytes Page：11 Pages	MEDIUMPOWERTRANSISTOR(-32V,-2A)	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SB1182-P	文件：509.7 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconEpitaxialTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2SB1182-P	文件：441.89 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconEpitaxialTransistors Features ●LowCollectorSaturationVoltage ●Execllentcurrent-to-gaincharacteristics ●EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ●MoistureSensitivityLevel1	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC

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