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2SB1182PT	文件：85.29 Kbytes Page：3 Pages	PNPEpitaxialTransistor FEATURE Smallflatpackage.(DPAK) PC=1.5W(mountedonceramicsubstrate). Highsaturationcurrentcapability. APPLICATION PowerdriverandDctoDCconvertor.	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO
2SB1182Q	文件：538.33 Kbytes Page：11 Pages	MEDIUMPOWERTRANSISTOR(-32V,-2A)	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SB1182-Q	文件：509.7 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconEpitaxialTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2SB1182-Q	文件：441.89 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconEpitaxialTransistors Features ●LowCollectorSaturationVoltage ●Execllentcurrent-to-gaincharacteristics ●EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ●MoistureSensitivityLevel1	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2SB1182R	文件：538.33 Kbytes Page：11 Pages	MEDIUMPOWERTRANSISTOR(-32V,-2A)	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SB1182-R	文件：509.7 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconEpitaxialTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2SB1182-R	文件：441.89 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconEpitaxialTransistors Features ●LowCollectorSaturationVoltage ●Execllentcurrent-to-gaincharacteristics ●EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ●MoistureSensitivityLevel1	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2SB1182TLQ	文件：92.25 Kbytes Page：3 Pages	PowerTransistor(??0V,??A)	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SB1182TLR	文件：116.67 Kbytes Page：4 Pages	Mediumpowertransistor(32V,2A) Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.5V(Typ.) (IC/IB=2A/0.2A) 2)Complements2SD1758/2SD1862.	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

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深圳市一线半导体有限公司	2SB1182TLQ-ND	SANYO	24+	TO-	6673		询价
深圳市豪迈兴电子有限公司	2SB1182TLQ-ND	SANYO	24+	N/A	8858	公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存!	询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	2SB1182TLQ-ND	SANYO	23+	QFP	5000	原装正品,假一罚十	询价
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更多2SB1182TLQ-CUTTAPE供应商更新时间2025-7-29 16:30:00

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