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2SB1182TLR	文件：116.67 Kbytes Page：4 Pages	Medium power transistor (32V,2A) Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.5V (Typ.) (IC/IB = 2A / 0.2A) 2) Complements 2SD1758 / 2SD1862. 文件：116.67 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1182TLQ	文件：92.25 Kbytes Page：3 Pages	Power Transistor (??0V, ??A) 文件：92.25 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1182TLQ	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 32V 2A CPT3	ROHM 罗姆	ROHM
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产品属性

产品编号：
2SB1182TLR
制造商：
Rohm Semiconductor
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
800mV @ 200mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
180 @ 500mA，3V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
CPT3
描述：
TRANS PNP 32V 2A CPT3

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更多2SB1182TL供应商更新时间2025-12-25 9:18:00

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