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2SB1123	文件：114.81 Kbytes Page：4 Pages	High-Current Switching Applications PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors Features • Adoption of FBET, MBIT processes. • Low collector-to-emitter saturation voltage. • Large current capacity and wide ASO. • Fast switching speed. • The ultraminiature package facilitates higher-density mounting, thus allows the applied 文件：114.81 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SB1123	文件：58.14 Kbytes Page：2 Pages	High-Current Switching Applications ■ Features ● Low collector-to-emitter saturation voltage. ● Large current capacity and wide ASO. ● Fast switching speed. ● Complementary to 2SD1623 文件：58.14 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SB1123	文件：730.87 Kbytes Page：3 Pages	PNP-Silicon General use Transistors PNP-Silicon General use Transistors 1W 、 1.5A、 25V Applications： Can be used for switching and amplifying in various electrical and electronic circuit. 文件：730.87 Kbytes 页数：3 Pages	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
2SB1123	文件：650.66 Kbytes Page：4 Pages	PNP Transistor ■ Features ● Low collector-to-emitter saturation voltage. ● Large current capacity and wide ASO. ● Fast switching speed. ● Complementary to 2SD1623 文件：650.66 Kbytes 页数：4 Pages	YFWDIODE 佑风微	YFWDIODE
2SB1123-D	文件：105 Kbytes Page：5 Pages	High-Current Switching Applications PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors Features • Adoption of FBET, MBIT processes. • Low collector-to-emitter saturation voltage. • Large current capacity and wide ASO. • Fast switching speed. • The ultraminiature package facilitates higher-density mounting, thus allows the applied 文件：105 Kbytes 页数：5 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SB1123-R	文件：650.66 Kbytes Page：4 Pages	丝印：BFR*；Package：SOT-89；PNP Transistor ■ Features ● Low collector-to-emitter saturation voltage. ● Large current capacity and wide ASO. ● Fast switching speed. ● Complementary to 2SD1623 文件：650.66 Kbytes 页数：4 Pages	YFWDIODE 佑风微	YFWDIODE
2SB1123-S	文件：650.66 Kbytes Page：4 Pages	丝印：BFS*；Package：SOT-89；PNP Transistor ■ Features ● Low collector-to-emitter saturation voltage. ● Large current capacity and wide ASO. ● Fast switching speed. ● Complementary to 2SD1623 文件：650.66 Kbytes 页数：4 Pages	YFWDIODE 佑风微	YFWDIODE
2SB1123S-TD-E	文件：368.26 Kbytes Page：8 Pages	Bipolar Transistor (??50V, (??2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP Features • Adoption of FBET, MBIT processes • Low collector-to-emitter saturation voltage • Large current capacity and wide ASO • Fast switching speed • The ultraminiature package facilitates higher-density mounting, thus allows the applied hybrid IC’s further miniaturization Applicaitons • 文件：368.26 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SB1123S-TD-E	文件：368.26 Kbytes Page：8 Pages	Bipolar Transistor (-)50V, (-)2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP Features • Adoption of FBET, MBIT processes • Low collector-to-emitter saturation voltage • Large current capacity and wide ASO • Fast switching speed • The ultraminiature package facilitates higher-density mounting, thus allows the applied hybrid IC’s further miniaturization Applicaitons • 文件：368.26 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SB1123-T	文件：650.66 Kbytes Page：4 Pages	丝印：BFT*；Package：SOT-89；PNP Transistor ■ Features ● Low collector-to-emitter saturation voltage. ● Large current capacity and wide ASO. ● Fast switching speed. ● Complementary to 2SD1623 文件：650.66 Kbytes 页数：4 Pages	YFWDIODE 佑风微	YFWDIODE

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晶体管资料

型号：
2SB1123
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
表面帖装型（SMD）_开关管（S）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
150MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SA1213,2SA1417,2SA1681,2SB1029,2SB1520,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-100
vtest：
60
htest：
150000000
atest：
2
wtest：
0

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Polarity：
PNP
Type：
Low VCE(sat)
VCE(sat) Max (V)：
0.7
IC Cont. (A)：
2
VCEO Min (V)：
50
VCBO (V)：
60
VEBO (V)：
6
VBE(sat) (V)：
0.9
hFE Min：
140
hFE Max：
280
fT Min (MHz)：
150
PTM Max (W)：
0.5
Package Type：
SOT-89/PCP-1

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SB112供应商更新时间2026-4-20 16:30:00

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