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2SB1009	文件：39.5 Kbytes Page：1 Pages	Epitaxial Planar PNP Silicon Transistor Low Freq. Power Amp. Epitaxial Planar PNP Silicon Transistor Features 1) General purpose design rated as VCEO=-32V, ICMAX=-2A, PCMAX=10W 2) Complementary pair with 2SD1380. 文件：39.5 Kbytes 页数：1 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1009	文件：127.35 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-126 package • Complement to type 2SD1380 APPLICATIONS • For use in low frequency power amplifier applications 文件：127.35 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB1009	文件：150.94 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-126 package • Complement to type 2SD1380 APPLICATIONS • For use in low frequency power amplifier applications 文件：150.94 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SB1009	文件：126.58 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • High Collector Current -lc= -2A • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -32V(Min) • Good Linearity of hFE • Low SaturationVoltage • Complement to Type 2SD1380 APPLICATIONS • Designed for low frequency power amplifier applications. 文件：126.58 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SB1009	文件：100.54 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-126 package • Complement to type 2SD1380 APPLICATIONS • For use in low frequency power amplifier applications 文件：100.54 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB1009	文件：102.1 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：102.1 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB1009	文件：300 bytes Page：1 Pages	Epitaxial Planar PNP Silicon Transistor	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1009_15	文件：150.94 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：150.94 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SB1009_2014	文件：150.94 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：150.94 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC

晶体管资料

型号：
2SB1009
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
100MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD376,2SA715,2SA886,2SA1120,2SA1217,2SB1009,2SB1217,2SB632K,
最大耗散功率：
10W
放大倍数：
图片代号：
B-21
vtest：
40
htest：
100000000
atest：
2
wtest：
10

详细参数

型号：
2SB1009
功能描述：
Bipolar Junction Transistor, PNP Type, TO-126

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	2SB1009		24+	TO-126	10000	全新	询价
深圳市利加科技有限公司	2SB1009	ROHM	16+	TO-126	100000	全新原装现货	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	2SB1009	ROHM/罗姆	20+	TO-126	38900	原装优势主营型号-可开原型号增税票	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	2SB1009	ROHM/罗姆	23+	TO-126S	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	2SB1009	ROHM/罗姆	2022+	TO-126	1100	原厂代理终端免费提供样品	询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司	2SB1009	ROHM/罗姆	26+	126	8880	原装认准芯泽盛世！	询价
深圳市旺财半导体有限公司	2SB1009	TOY	23+	TO	20000	正品原装货价格低	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	2SB1009	ROHM/罗姆	23+	TO-126	8000	只做原装现货	询价
深圳市明嘉莱科技有限公司	2SB1009	ROHM/罗姆	25+	126	860000	明嘉莱只做原装正品现货	询价
天津市博通航睿技术有限公司	2SB1009	ROHM/罗姆	23+	TO-126	7000		询价

更多2SB1009供应商更新时间2026-3-15 16:00:00

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