2SB1002资料datasheet下载供应商报价第2页-114ic电子网

首页 >2SB100>规格书列表

型号	下载订购	功能描述	制造商上传企业	LOGO
2SB1007	文件：34.62 Kbytes Page：1 Pages	Epitaxial Planar PNP Silicon Transistor 文件：34.62 Kbytes 页数：1 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1007	文件：81.38 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= -80V(Min) ·Good Linearity of hFE ·Complement to Type 2SD1378 APPLICATIONS ·Designed for low frequency power amplifier applications. 文件：81.38 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB1007	文件：159.51 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-126 package ·Complement to type 2SD1378 ·High breakdown voltage APPLICATIONS ·Low frequency power amplification 文件：159.51 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SB1007	文件：104.7 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-126 package ·Complement to type 2SD1378 ·High breakdown voltage APPLICATIONS ·Low frequency power amplification 文件：104.7 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB1009	文件：100.54 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-126 package • Complement to type 2SD1380 APPLICATIONS • For use in low frequency power amplifier applications 文件：100.54 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB1009	文件：150.94 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-126 package • Complement to type 2SD1380 APPLICATIONS • For use in low frequency power amplifier applications 文件：150.94 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SB1009	文件：127.35 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-126 package • Complement to type 2SD1380 APPLICATIONS • For use in low frequency power amplifier applications 文件：127.35 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB1009	文件：39.5 Kbytes Page：1 Pages	Epitaxial Planar PNP Silicon Transistor Low Freq. Power Amp. Epitaxial Planar PNP Silicon Transistor Features 1) General purpose design rated as VCEO=-32V, ICMAX=-2A, PCMAX=10W 2) Complementary pair with 2SD1380. 文件：39.5 Kbytes 页数：1 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1009	文件：126.58 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • High Collector Current -lc= -2A • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -32V(Min) • Good Linearity of hFE • Low SaturationVoltage • Complement to Type 2SD1380 APPLICATIONS • Designed for low frequency power amplifier applications. 文件：126.58 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SB1000_15	文件：1.02152 Mbytes Page：2 Pages	PNP Transistors 文件：1.02152 Mbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN

<<<123 4 5 6 >>>

晶体管资料

型号：
2SB1002
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
表面帖装型（SMD）_通用型（Uni）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
70V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
150MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BCX53,2SA1213,2SA1364,2SB767,2SB803,2SB804,2SB1025,2SB1026,2SB1122,2SB1260,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-100
vtest：
70
htest：
150000000
atest：
1
wtest：
0

技术参数

VCEO (V)：
-50
IC @25 °C (A)：
-1
VCE (sat) (V)：
-0.6
hFE：
160-320
Pc (W)：
1
fT (Typical) (GHz)：
0.15
Cob (Typical) (pF)：
35

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	2SB1002	RENESAS/瑞萨	20+	SOT-89	120000	原装正品可含税交易	询价
深圳市科芯源微电子有限公司	2SB1002	RENESAS/瑞萨	23+	SOT-89	100586	全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费!	询价
深圳市坤融电子科技有限公司	2SB1002	RENESAS/瑞萨	2025+	SOT-89	5000	原装进口价格优请找坤融电子!	询价
深圳市一线半导体有限公司	2SB1002	RENESAS瑞萨/HITACHI日立	24+	SOT-89	11750	新进库存/原装	询价
深圳市佳鑫美电子科技有限公司	2SB1002	HITACHI	25+	SOT89	2987	只售原装自家现货!诚信经营!欢迎来电	询价
深圳市莱克讯科技有限公司	2SB1002	HITACHI	1922+	SOT-89	35689	原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	2SB1002	RENESAS/瑞萨	23+	SOT-89	330000	原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详	询价
深圳市威雅利发展有限公司	2SB1002	RENESAS	20+	SOT-89	2207	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳市金芯世纪电子有限公司	2SB1002	RENESAS/瑞萨	22+	SOT89	100000	代理渠道/只做原装/可含税	询价
深圳市旺财半导体有限公司	2SB1002	RENESAS	23+	SOT89	4000	正品原装货价格低	询价

更多2SB100供应商更新时间2025-12-19 14:00:00

客户服务网站合作

Tel：0755 8246 9263
Email：kf＠114ic.com
投诉建议：kf@114ic.com

Copyright © 2003-2025 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号