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2SAR567F3

小型化、高散热性封装,PNP -2.5A -120V 中功率晶体管

2SAR567F3是低VCE(sat)的中功率晶体管,适合低频放大用途。采用热导率、导电率优异的无引线小型表面安装封装HUML2020L3(DFN2020-3S)。 • Suitable for Middle Power Driver.\n• Low VCE(sat) VCE(sat)=-200mV (Max.) . (IC/IB=-800mA/-80mA)\n• High collector current. IC=-2.5A(max), ICP=-5A(max)\n• Leadless small SMD package (HUML2020L3) Excellent thermal and electrical conductivity.;

ROHM

罗姆

2SAR567F3

丝印:MK;Package:DFN2020-3S;PNP -2.5A -120V Middle Power Transistor

文件:1.55295 Mbytes 页数:9 Pages

ROHM

罗姆

2SAR567F3TR

Package:3-UDFN 裸露焊盘;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 120V 2.5A HUML2020L3

ROHM

罗姆

2SB1002CJTL

SOT89

RENESAS

瑞萨

上传:深圳市正纳电子有限公司

2SB1124T-TD-E

TO-89

ON

技术参数

  • 封装:

    HUML2020L3

  • 包装数量:

    3000

  • 最小独立包装数量:

    3000

  • 包装形态:

    Taping

  • RoHS:

    Yes

  • Package Code:

    DFN2020-3S

  • Number of terminal:

    3

  • Polarity:

    PNP

  • Collector Power dissipation PC[W]:

    1

  • Collector-Emitter voltage VCEO1[V]:

    -120

  • Collector current Io(Ic) [A]:

    -2.5

  • hFE:

    120 to 390

  • hFE (Min.):

    120

  • hFE (Max.):

    390

  • Mounting Style:

    Surface mount

  • Storage Temperature (Min.)[°C]:

    -55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]:

    150

  • Package Size [mm]:

    2x2 (t=0.65)

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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