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2SAR513PHZG	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP 中功率驱动器用晶体管 (-50V/-1A) 2SAR513PHZG是低VCE(sat)的低频放大用晶体管。 • Low saturation voltage VCE(sat)=-400mV (Max.) (IC/IB=-500mA/-25mA)\n• High speed switching\n• AEC-Q101 Qualified;	ROHM 罗姆	ROHM
2SAR513PHZGT100	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-243AA；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 50V 1A SOT89	ROHM 罗姆	ROHM
2SAR513R	文件：1.59091 Mbytes Page：10 Pages	PNP -1.0A -50V Middle Power Transistor 文件：1.59091 Mbytes 页数：10 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SAR513RHZG	文件：1.63389 Mbytes Page：9 Pages	PNP -1.0A -50V Middle Power Transistor Features 1)Suitable for Middle Power Driver 2)Complementary NPN Types:2SCR513R HZG 3)Low VCE(sat) VCE(sat)=-400mV(Max.) (IC/IB=-500mA/-25mA) 4)AEC-Q101 Qualified Application LOW FREQUENCY AMPLIFIER, HIGH SPEED SWITCHING 文件：1.63389 Mbytes 页数：9 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

封装：
MPT3
包装数量：
1000
最小独立包装数量：
1000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Supply Status：
Recommended
Package Code：
SOT-89
JEITA Package：
SC-62
Number of terminal：
3
Polarity：
PNP
Collector Power dissipation PC[W]：
0.5
Collector-Emitter voltage VCEO1[V]：
-50
Collector current Io(Ic) [A]：
-1
hFE：
180 to 450
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
4.5x4 (t=1.5)
Common Standard：
AEC-Q101 (Automotive Grade)

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更多2SAR513PHZG供应商更新时间2025-11-24 14:01:00

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