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2SAR513RHZG	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP, SOT-346T, -50V -1A, 车载用中等功率放大用晶体管 2SAR513RHZG是一款低VCE(sat)晶体管，非常适用于低频放大应用，是符合AEC-Q101标准的车规级高可靠性产品。 • Suitable for Middle Power Driver\n• Complementary NPN Types:2SCR513RHZG\n• Low saturation voltage, typically\nVCE(sat)=-400mV(Max.) (IC/IB=-500mA/-25mA)\n• AEC-Q101 Qualified;	ROHM 罗姆	ROHM
2SAR513RHZG	文件：1.63389 Mbytes Page：9 Pages	丝印：MC；Package：SOT-346T；PNP -1.0A -50V Middle Power Transistor Features 1)Suitable for Middle Power Driver 2)Complementary NPN Types:2SCR513R HZG 3)Low VCE(sat) VCE(sat)=-400mV(Max.) (IC/IB=-500mA/-25mA) 4)AEC-Q101 Qualified Application LOW FREQUENCY AMPLIFIER, HIGH SPEED SWITCHING 文件：1.63389 Mbytes 页数：9 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SAR513RHZGTL	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-96；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：PNP, SOT-346T, -50V -1A, MIDDLE	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor
2SAR513P	文件：429.6 Kbytes Page：8 Pages	PNP -1.0A -50V Middle Power Transistor 文件：429.6 Kbytes 页数：8 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SAR513P	文件：241.24 Kbytes Page：5 Pages	Midium Power Transistors (-50V / -1A) 文件：241.24 Kbytes 页数：5 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SAR513PFRA	文件：1.51768 Mbytes Page：8 Pages	Middle Power Transistor(-50V / -1A) 文件：1.51768 Mbytes 页数：8 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

封装：
TSMT3
包装数量：
3000
最小独立包装数量：
3000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Supply Status：
Recommended
Package Code：
SOT-346T
JEITA Package：
SC-96
Number of terminal：
3
Polarity：
PNP
Collector Power dissipation PC[W]：
0.5
Collector-Emitter voltage VCEO1[V]：
-50
Collector current Io(Ic) [A]：
-1
hFE：
180 to 450
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
2.9x2.8 (t=1)
Common Standard：
AEC-Q101 (Automotive Grade)

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