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2SA958	文件：88.69 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220 package • High breakdown voltage • High power dissipation APPLICATIONS • For general purpose applications 文件：88.69 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA958	文件：177.74 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage : V(BR)CEO= -200V(Min) APPLICATIONS • Designed for general purpose applications. 文件：177.74 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SA959	文件：152.26 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3 package ·Excellent safe operating area APPLICATIONS ·For high power audio ,stepping motor and other linear applications ·Relay or solenoid drviers ·DC-DC converters inverters 文件：152.26 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA959	文件：155.66 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3 package ·Excellent safe operating area APPLICATIONS ·For high power audio ,stepping motor and other linear applications ·Relay or solenoid drviers ·DC-DC converters inverters 文件：155.66 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC

晶体管资料

型号：
2SA953
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
通用型（Uni）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
0.3A
最大工作频率：
100MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC327A,BC488,BC527,BC638,2SA1683,2SB647,3CG130B,
最大耗散功率：
0.6W
放大倍数：
图片代号：
A-20
vtest：
60
htest：
100000000
atest：
0.3
wtest：
0.6

技术参数

VCEO (V)：
60
hFE min.：
90
hFE max.：
400
Pc (W)：
0.6
Production Status：
EOL

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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