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2SA940	文件：300 bytes Page：1 Pages	Bipolar Transistor Collector-Emitter Voltage: VCEO=-150V (Min.) DC Current Gain: hFE=40~140 @ IC=-500mA Complementary of NPN 2SC2073;	UTC 友顺	UTC
2SA940	文件：300 bytes Page：1 Pages	150V,1.5A,Medium Power PNP Bipolar Transistor	Galaxy 银河微电	Galaxy
2SA949-Y(JVC1,F,M)	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3 长体；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 150V 0.05A TO92MOD	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
2SA949-Y(T6JVC1,FM	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3 长体；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 150V 0.05A TO92MOD	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
2SA949-Y(T6ONK1,FM	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3 长体；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 150V 0.05A TO92MOD	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage

晶体管资料

型号：
2SA94
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Ge-PNP
性质：
射频/高频放大（HF）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
9V
最大电流允许值：
0.01A
最大工作频率：
45MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
AF124,AF125,AF126,AF127,AF200,2N3323,2N3324,2N3325,2SA218,2SA219,2SA220,2SA221,2SA222,2SA223,2SA224,2SA225,2SA226,2SA227,3AG54B,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
D-58
vtest：
9
htest：
45000000
atest：
0.01
wtest：
0

技术参数

PCM(W)：
1.5
IC(A)：
1.5
VCBO(V)：
150
VCEO(V)：
150
VEBO(V)：
5
hFEMin：
40
hFEMax：
140
hFE@VCE(V)：
10
hFE@IC(A)：
0.5
VCE(sat)(V)：
1.5
VCE(sat)\u001E@IC(A)：
0.5
VCE(sat)\u001E@IB(A)：
0.05
Package：
TO-220-3L

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