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2SA940	文件：402.22 Kbytes Page：2 Pages	TO-220-3L Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES ● Wide Safe Operating Area. ● Complementary to 2SC2703 文件：402.22 Kbytes 页数：2 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
2SA940	文件：203.51 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220 package • Complement to type 2SC2073 APPLICATIONS • Power amplifier applications • Vertical output applications 文件：203.51 Kbytes 页数：4 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SA940	文件：113.25 Kbytes Page：3 Pages	POWER TRANSISTORS(1.5A,150V,25W) 文件：113.25 Kbytes 页数：3 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC
2SA940	文件：207.29 Kbytes Page：4 Pages	Epitaxial Planar PNP Transistor FEATURES ● Complements the 2SC2073. APPLICATIONS ● Power Amplifier Applications. ● Vertical Output Applications. 文件：207.29 Kbytes 页数：4 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
2SA940	文件：103.91 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • With TO-220 package • Complement to type 2SC2073 APPLICATIONS • Power amplifier applications • Vertical output applications 文件：103.91 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA940A	文件：139.9 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER, VERTICAL OUTPUT APPLICATIONS) POWER AMPLIFIER APPLICATIONS VERTICAL OUTPUT APPLICATIONS ● Complementary to 2SC2073A 文件：139.9 Kbytes 页数：2 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA940A	文件：1.15283 Mbytes Page：6 Pages	Silicon PNP transistor in a TO-220F Plastic Package. Descriptions Silicon PNP transistor in a TO-220F Plastic Package. Features Complementary to 2SC2073A. Applications Power amplifier applications, vertical output applications. 文件：1.15283 Mbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
2SA941	文件：33.36 Kbytes Page：1 Pages	SILICON PNP EPITAXIAL TRANSISTOR(PCT PROCESS) Low Noise Audio Amplifier Applications 文件：33.36 Kbytes 页数：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2SA942	文件：33.36 Kbytes Page：1 Pages	SILICON PNP EPITAXIAL TRANSISTOR(PCT PROCESS) Low Noise Audio Amplifier Applications 文件：33.36 Kbytes 页数：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2SA949	文件：269 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO=-150V(Min) ·Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat)= -0.8V(Max) @IC= -10mA APPLICATIONS ·Designed for power amplifier,high speed switching and regulated power supply applications. 文件：269 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

晶体管资料

型号：
2SA94
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Ge-PNP
性质：
射频/高频放大（HF）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
9V
最大电流允许值：
0.01A
最大工作频率：
45MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
AF124,AF125,AF126,AF127,AF200,2N3323,2N3324,2N3325,2SA218,2SA219,2SA220,2SA221,2SA222,2SA223,2SA224,2SA225,2SA226,2SA227,3AG54B,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
D-58
vtest：
9
htest：
45000000
atest：
0.01
wtest：
0

技术参数

PCM(W)：
1.5
IC(A)：
1.5
VCBO(V)：
150
VCEO(V)：
150
VEBO(V)：
5
hFEMin：
40
hFEMax：
140
hFE@VCE(V)：
10
hFE@IC(A)：
0.5
VCE(sat)(V)：
1.5
VCE(sat)\u001E@IC(A)：
0.5
VCE(sat)\u001E@IB(A)：
0.05
Package：
TO-220-3L

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