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2SA821	文件：252.07 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR (PNP) TRANSISTOR (PNP) FEATURES Power dissipation PCM : 0.25 W (Tamb=25℃) Collector current ICM : -0.03 A Collector-base voltage V(BR)CBO : -210 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：252.07 Kbytes 页数：3 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
2SA821	文件：83.97 Kbytes Page：1 Pages	PNP Plastic Encapsulated Transistor FEATURES ● High Breakdown Voltage ● Low Transition Frequency 文件：83.97 Kbytes 页数：1 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2SA821	文件：133.85 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (PNP) FEATURES Power dissipation PCM : 0.25 W (Tamb=25℃) Collector current ICM : -0.03 A Collector-base voltage V(BR)CBO : -210 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：133.85 Kbytes 页数：1 Pages	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN
2SA821	文件：66.74 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-Encapsulated Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES Power dissipation PCM : 0.25 W (Tamb=25℃) Collector current ICM : -0.03 A Collector-base voltage V(BR)CBO : -210 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：66.74 Kbytes 页数：1 Pages	TEL	TEL
2SA821	文件：300 bytes Page：1 Pages	晶体管	JSCJ 长晶科技	JSCJ
2SA821S	文件：64.45 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-Encapsulated Transistors Plastic-Encapsulated Transistors FEATURES Power dissipation PD: 0.25 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: -0.03 A Collector-base voltage V(BR)CBO: -210 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃to +150℃ 文件：64.45 Kbytes 页数：1 Pages	TEL	TEL
2SA821S	文件：67.34 Kbytes Page：3 Pages	丝印：PQ；Package：SPT；HIGH VOLTAGE AMPLIFIER TRANSISTOR High-voltage Amplifier Transistor (−210V, −30mA) Features 1) High breakdown voltage, (VCER= −210V ) 2) Complements the 2SC1651S. 文件：67.34 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SA821S	文件：132.33 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (PNP) 文件：132.33 Kbytes 页数：1 Pages	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN
2SA821S	文件：500.29 Kbytes Page：3 Pages	TO-92S Plastic-Encapsulate Transistors 文件：500.29 Kbytes 页数：3 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
2SA821S	文件：300 bytes Page：1 Pages	晶体管	JSCJ 长晶科技	JSCJ

技术参数

PCM(W)：
0.25
IC(A)：
0.03
VCBO(V)：
210
VCEO(V)：
210
VEBO(V)：
5
hFEMin：
56
hFEMax：
270
hFE@VCE(V)：
3
hFE@IC(A)：
0.005
VCE(sat)(V)：
0.6
VCE(sat)\u001E@IC(A)：
0.002
VCE(sat)\u001E@IB(A)：
0.0002
Package：
TO-92

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SA821供应商更新时间2025-12-1 16:30:00

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