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2SA821S

丝印:PQ;Package:SPT;HIGH VOLTAGE AMPLIFIER TRANSISTOR

High-voltage Amplifier Transistor (−210V, −30mA) Features 1) High breakdown voltage, (VCER= −210V ) 2) Complements the 2SC1651S.

文件:67.34 Kbytes 页数:3 Pages

ROHM

罗姆

2SA821S

Plastic-Encapsulated Transistors

Plastic-Encapsulated Transistors FEATURES Power dissipation PD: 0.25 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: -0.03 A Collector-base voltage V(BR)CBO: -210 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃to +150℃

文件:64.45 Kbytes 页数:1 Pages

TEL

2SA821S

TO-92S Plastic-Encapsulate Transistors

文件:500.29 Kbytes 页数:3 Pages

JIANGSU

长电科技

2SA821S

TRANSISTOR (PNP)

文件:132.33 Kbytes 页数:1 Pages

WINNERJOIN

永而佳

2SA821S

晶体管

JSCJ

长晶科技

技术参数

  • PCM(W):

    0.25

  • IC(A):

    0.03

  • VCBO(V):

    210

  • VCEO(V):

    210

  • VEBO(V):

    5

  • hFEMin:

    56

  • hFEMax:

    270

  • hFE@VCE(V):

    3

  • hFE@IC(A):

    0.005

  • VCE(sat)(V):

    0.6

  • VCE(sat)\u001E@IC(A):

    0.002

  • VCE(sat)\u001E@IB(A):

    0.0002

  • Package:

    TO-92S

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