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2SA812-6AF

PNP Transistor

晶体管类型: PNP\n集电极电流(Ic): 100mA\n集射极击穿电压: 50V\n耗散功率(Pd): 200mW

FOSAN

富信半导体

2SA812B-T1B-AT

SOT23

RENESAS

瑞萨

上传:深圳市正纳电子有限公司

2SAR513PFRAT100

SOT89-3

ROHM/罗姆

2SAR553PGZET100

MPT3

ROHM/罗姆

2SB1002CJTL

SOT89

RENESAS

瑞萨

上传:深圳市正纳电子有限公司

技术参数

  • 集电极电流(Ic):

    -100mA

  • 集射极击穿电压(Vceo):

    -50V

  • 耗散功率(Pd):

    225mW

  • 集射极饱和电压(VCE(sat)):

    -300mV

  • 直流电流增益(hFE):

    200mA-400mA

  • 特征频率(fT):

    180MHz

  • 工作温度:

    -55℃~+150℃

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ON/安森美
23+
SOT-23
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RENESAS/瑞萨
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RENESAS/瑞萨
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SOT-23
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SOT-23
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百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
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更多2SA812-6供应商 更新时间2025-12-25 14:47:00