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2SA812-6AF数据手册FOSAN中文资料规格书

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厂商型号

2SA812-6AF

功能描述

PNP Transistor

制造商

FOSAN ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO., LTD

中文名称

富信半导体 安徽富信半导体科技有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 23:00:00

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2SA812-6AF规格书详情

描述 Description

晶体管类型: PNP
集电极电流(Ic): 100mA
集射极击穿电压: 50V
耗散功率(Pd): 200mW

技术参数

  • 制造商编号

    :2SA812-6AF

  • 生产厂家

    :FOSAN

  • 集电极电流(Ic)

    :-100mA

  • 集射极击穿电压(Vceo)

    :-50V

  • 耗散功率(Pd)

    :225mW

  • 集射极饱和电压(VCE(sat))

    :-300mV

  • 直流电流增益(hFE)

    :200mA-400mA

  • 特征频率(fT)

    :180MHz

  • 工作温度

    :-55℃~+150℃

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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