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2SA812-T1B	文件：241.88 Kbytes Page：4 Pages	AUDIO FREQUENCY,GENERAL PURPOSE AMPLIFIER PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD FEATURES • Complementary to 2SC1623 • High DC Current Gain: hFE= 200 TYP. (VCE= −6.0 V, IC= −1.0 mA) ) • High Voltage: VCEO= −50 V 文件：241.88 Kbytes 页数：4 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SA814	文件：102.21 Kbytes Page：2 Pages	SILICON PNP EPITAXIAL BASE MESA TYPE 文件：102.21 Kbytes 页数：2 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA814	文件：95.53 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220 package • Complement to type 2SC1624/1625 • High breakdown voltage APPLICATIONS • Medium power amplifier applications • Driver stage amplifier applications 文件：95.53 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA814	文件：165.43 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220 package • Complement to type 2SC1624/1625 • High breakdown voltage APPLICATIONS • Medium power amplifier applications • Driver stage amplifier applications 文件：165.43 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SA814	文件：95.5 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220 package • Complement to type 2SC1624/1625 • High breakdown voltage APPLICATIONS • Medium power amplifier applications • Driver stage amplifier applications 文件：95.5 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SA815	文件：95.5 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220 package • Complement to type 2SC1624/1625 • High breakdown voltage APPLICATIONS • Medium power amplifier applications • Driver stage amplifier applications 文件：95.5 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SA815	文件：165.43 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220 package • Complement to type 2SC1624/1625 • High breakdown voltage APPLICATIONS • Medium power amplifier applications • Driver stage amplifier applications 文件：165.43 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SA815	文件：102.21 Kbytes Page：2 Pages	SILICON PNP EPITAXIAL BASE MESA TYPE 文件：102.21 Kbytes 页数：2 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA815	文件：95.53 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220 package • Complement to type 2SC1624/1625 • High breakdown voltage APPLICATIONS • Medium power amplifier applications • Driver stage amplifier applications 文件：95.53 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA816	文件：112.08 Kbytes Page：2 Pages	PNP/NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL POWER TRANSISTOR 文件：112.08 Kbytes 页数：2 Pages	MICRO-ELECTRONICS	MICRO-ELECTRONICS

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晶体管资料

型号：
2SA811A
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
表面帖装型（SMD）_通用型（Uni）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
120V
最大电流允许值：
0.03A
最大工作频率：
90MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SA1312,2SA1566,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
120
htest：
90000000
atest：
0.03
wtest：
0

技术参数

VCEO (V)：
-120
IC @25 °C (A)：
-0.05
VCE (sat) (V)：
-0.3
hFE：
135-900
Pc (W)：
0.2
fT (Typical) (GHz)：
0.09
Cob (Typical) (pF)：
2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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