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2SA2029	文件：88.67 Kbytes Page：4 Pages	丝印：FR；Package：VMT3；General Purpose Transistor 文件：88.67 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SA2029	文件：174.93 Kbytes Page：4 Pages	丝印：FR；Package：VMT3；General Purpose Transistor (50V, 0.15A) 文件：174.93 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SA2029	文件：144.84 Kbytes Page：4 Pages	丝印：FR；Package：VMT3；General Purpose Transistor 文件：144.84 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SA2029	文件：300 bytes Page：1 Pages	General 3urpose 7ransistors	MSV 萌盛微	MSV
2SA2029	文件：300 bytes Page：1 Pages	General purpose transistors (PNP) SOT-723	XW 芯微半导体	XW
2SA2029	文件：300 bytes Page：1 Pages	晶体管	JSCJ 长晶科技	JSCJ
2SA2029M3	文件：49.3 Kbytes Page：4 Pages	PNP Silicon General Purpose Amplifier Transistor This PNP transistor is designed for general purpose amplifier applications. This device is housed in the SOT−723 package which is designed for low power surface mount applications, where board space is at a premium. Features • Reduces Board Space • High hFE, 210−460 (Typical) • Low VCE(sat), 文件：49.3 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SA2029M3T5G	文件：49.3 Kbytes Page：4 Pages	PNP Silicon General Purpose Amplifier Transistor This PNP transistor is designed for general purpose amplifier applications. This device is housed in the SOT−723 package which is designed for low power surface mount applications, where board space is at a premium. Features • Reduces Board Space • High hFE, 210−460 (Typical) • Low VCE(sat), 文件：49.3 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SA2029Q	文件：76.37 Kbytes Page：3 Pages	General Purpose Transistor Features 1) Excellent hFE linearity. 2) Complements the 2SC2412K / 2SC4081 / 2SC4617 / 2SC5658 / 2SC1740S. 文件：76.37 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SA2029R	文件：76.37 Kbytes Page：3 Pages	General Purpose Transistor Features 1) Excellent hFE linearity. 2) Complements the 2SC2412K / 2SC4081 / 2SC4617 / 2SC5658 / 2SC1740S. 文件：76.37 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

封装：
VMT3
包装数量：
8000
最小独立包装数量：
8000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
SOT-723
JEITA Package：
SC-105AA
Number of terminal：
3
Polarity：
PNP
Collector Power dissipation PC[W]：
0.15
Collector-Emitter voltage VCEO1[V]：
-50
Collector current Io(Ic) [A]：
-0.15
hFE：
120 to 390
hFE (Min.)：
120
hFE (Max.)：
390
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
1.2x1.2 (t=0.5)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SA2029供应商更新时间2025-12-3 14:00:00

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