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2SA2029M3分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

2SA2029M3
厂商型号

2SA2029M3

参数属性

2SA2029M3 封装/外壳为SOT-723;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 50V 0.1A SOT723

功能描述

PNP Silicon General Purpose Amplifier Transistor
TRANS PNP 50V 0.1A SOT723

封装外壳

SOT-723

文件大小

49.3 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-1 23:00:00

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2SA2029M3规格书详情

2SA2029M3属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由安森美半导体公司制造生产的2SA2029M3晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

This PNP transistor is designed for general purpose amplifier applications. This device is housed in the SOT−723 package which is designed for low power surface mount applications, where board space is at a premium.

特性 Features

• Reduces Board Space

• High hFE, 210−460 (Typical)

• Low VCE(sat), < 0.5 V

• ESD Performance: Human Body Model; > 2000 V,

Machine Model; > 200 V

• Available in 4 mm, 8000 / Tape & Reel

• NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring

Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101

Qualified and PPAP Capable

• These are Pb−Free Devices

产品属性

更多
  • 产品编号:

    2SA2029M3T5G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 5mA,50mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    500pA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    120 @ 1mA,6V

  • 频率 - 跃迁:

    140MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SOT-723

  • 供应商器件封装:

    SOT-723

  • 描述:

    TRANS PNP 50V 0.1A SOT723

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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