2SA2029M3分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

厂商型号 |
2SA2029M3 |
参数属性 | 2SA2029M3 封装/外壳为SOT-723;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 50V 0.1A SOT723 |
功能描述 | PNP Silicon General Purpose Amplifier Transistor |
封装外壳 | SOT-723 |
文件大小 |
49.3 Kbytes |
页面数量 |
4 页 |
生产厂商 | ON Semiconductor |
企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
原厂标识 | ONSEMI |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-1 23:00:00 |
人工找货 | 2SA2029M3价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
2SA2029M3规格书详情
2SA2029M3属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由安森美半导体公司制造生产的2SA2029M3晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
This PNP transistor is designed for general purpose amplifier applications. This device is housed in the SOT−723 package which is designed for low power surface mount applications, where board space is at a premium.
特性 Features
• Reduces Board Space
• High hFE, 210−460 (Typical)
• Low VCE(sat), < 0.5 V
• ESD Performance: Human Body Model; > 2000 V,
Machine Model; > 200 V
• Available in 4 mm, 8000 / Tape & Reel
• NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring
Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101
Qualified and PPAP Capable
• These are Pb−Free Devices
产品属性
更多- 产品编号:
2SA2029M3T5G
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
500mV @ 5mA,50mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
500pA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
120 @ 1mA,6V
- 频率 - 跃迁:
140MHz
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
SOT-723
- 供应商器件封装:
SOT-723
- 描述:
TRANS PNP 50V 0.1A SOT723
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
SOT723 |
7350 |
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ON(安森美) |
24+ |
NA/ |
8735 |
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ON |
18+ |
SOT-723 |
64000 |
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ON |
22+ |
TO-220-3 |
50000 |
ON二三极管全系列在售 |
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ON(安森美) |
23+ |
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ON(安森美) |
23+ |
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ON Semiconductor |
2025 |
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全新、原装 |
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1983 |
只做原装正品 |
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ROHM Semiconductor |
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ON(安森美) |
24+ |
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