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2SA1897	文件：107.22 Kbytes Page：6 Pages	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND MID-SPEED SWITCHING The 2SA1897 features a low saturation voltage and is available for high current control in small dimension. This transistor is ideal for high efficiency DC/DC converters due to fast switching speed. FEATURES • High current capacitance • Low collector saturation voltage and high hFE • Insulatio 文件：107.22 Kbytes 页数：6 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SA1897	文件：229.98 Kbytes Page：8 Pages	SILICON TRANSISTOR PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND MID-SPEED SWITCHING The 2SA1897 features a low saturation voltage and is available for high current control in small dimension. This transistor is ideal for high efficiency DC/DC converters due to fast switching speed. 文件：229.98 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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2SA1897K	文件：107.22 Kbytes Page：6 Pages	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND MID-SPEED SWITCHING The 2SA1897 features a low saturation voltage and is available for high current control in small dimension. This transistor is ideal for high efficiency DC/DC converters due to fast switching speed. FEATURES • High current capacitance • Low collector saturation voltage and high hFE • Insulatio 文件：107.22 Kbytes 页数：6 Pages	NEC 瑞萨	NEC
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晶体管资料

型号：
2SA1897
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
LO_SAT
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
30V
最大电流允许值：
5A
最大工作频率：
180MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SA1431,2SB1050,2SB1319,2SB1398,
最大耗散功率：
1W
放大倍数：
图片代号：
A-68
vtest：
30
htest：
180000000
atest：
5
wtest：
1

技术参数

VCEO (V)：
20
hFE最小值：
200
hFE最大值：
600
Pc (W)：
1

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