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2SA1740	文件：102.23 Kbytes Page：3 Pages	High-Voltage Driver Applications High-Voltage Driver Applications Features • High breakdown votlage. • Adoption of MBIT process. • Excellent hFE linearlity 文件：102.23 Kbytes 页数：3 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SA1740	文件：188.17 Kbytes Page：4 Pages	HIGH VOLTAGE DRIVER APPLICATION HIGH VOLTAGE DRIVER APPLICATION FEATURES * High breakdown voltage. * Excellent hFE linearity. 文件：188.17 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
2SA1740	文件：388.45 Kbytes Page：4 Pages	丝印：AK；Package：SOT-89；PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor FEATURES ● High breakdown voltage. ● Adoption of MBIT process. ● Excellent hFE linearlity. APPLICATIONS ● High-Voltage Driver Applications 文件：388.45 Kbytes 页数：4 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
2SA1740	文件：1.59806 Mbytes Page：4 Pages	SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES ● High breadown voltage ● Excellent hFE linearlity 文件：1.59806 Mbytes 页数：4 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
2SA1740	文件：364.65 Kbytes Page：3 Pages	High-Voltage Driver Applications Features ● High Breakdown Voltage ● Adoption of MBIT Process ● Excellent hFE Linearlity. 文件：364.65 Kbytes 页数：3 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SA1740	文件：146.38 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (PNP) FEATURES Power dissipation PCM : 500 mW (Tamb=25℃) Collector current ICM : -200 mA Collector-base voltage V(BR)CBO : -400 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：146.38 Kbytes 页数：1 Pages	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN
2SA1740	文件：2.08512 Mbytes Page：3 Pages	High voltage driver application FEATURES ● High breadown voltage. ● Excellent hFE linearlity. 文件：2.08512 Mbytes 页数：3 Pages	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
2SA1740	文件：185.44 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES • High breadown voltage • Excellent hFE linearlity 文件：185.44 Kbytes 页数：2 Pages	HOTTECH 合科泰	HOTTECH
2SA1740	文件：64.53 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-Encapsulated Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES Power dissipation PCM : 500 mW (Tamb=25℃) Collector current ICM : -200 mA Collector-base voltage V(BR)CBO : -400 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：64.53 Kbytes 页数：1 Pages	TEL	TEL
2SA1740	文件：693.04 Kbytes Page：4 Pages	丝印：AK；Package：SOT-89；PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor FEATURES High breakdown voltage. Adoption of MBIT process. Excellent hFE linearlity. APPLICATIONS High-Voltage Driver Applications 文件：693.04 Kbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ

晶体管资料

型号：
2SA1742
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
开关管（S）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
7A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
2SA1442,2SA1470,2SB946,2SB1290,
最大耗散功率：
30W
放大倍数：
图片代号：
B-38
vtest：
100
htest：
999900
atest：
7
wtest：
30

技术参数

Vcbo (V)：
-100
VCEO (V)：
-60
Vebo (V)：
-7
IC @25 °C (A)：
-7
VCE (sat) (V)：
-0.5
hFE：
100-400
Pc (W)：
30
fT (Typical) (GHz)：
0.04
Cob (Typical) (pF)：
180

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