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2SA1708	文件：632.53 Kbytes Page：5 Pages	Bipolar Transistor ??0V, ??A, Low VCE(sat) PNP Single PCP Features • Adoption of FBET, MBIT processes • High breakdown voltage, large current capacity • Fast switching speed 文件：632.53 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SA1708	文件：632.53 Kbytes Page：8 Pages	Bipolar Transistor Adoption of FBET, MBIT processes Features • Adoption of FBET, MBIT processes • High breakdown voltage, large current capacity • Fast switching speed 文件：632.53 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SA1708	文件：124.76 Kbytes Page：4 Pages	High-Voltage Switching Applications PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors Features • Adoption of FBET, MBIT processes • High breakdown voltage, large current capacity • Fast switching speed 文件：124.76 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SA1708	文件：74.37 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Switching Applications 文件：74.37 Kbytes 页数：5 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SA1708	文件：534.23 Kbytes Page：8 Pages	High-Voltage Switching Applications 文件：534.23 Kbytes 页数：8 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SA1708	文件：300 bytes Page：1 Pages	Bipolar Transistor –30V, –5A, Low VCE(sat) PNP Single PCP	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SA1708S-AN	文件：632.53 Kbytes Page：5 Pages	Bipolar Transistor ??0V, ??A, Low VCE(sat) PNP Single PCP Features • Adoption of FBET, MBIT processes • High breakdown voltage, large current capacity • Fast switching speed 文件：632.53 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SA1708S-AN	文件：632.53 Kbytes Page：8 Pages	Bipolar Transistor Adoption of FBET, MBIT processes Features • Adoption of FBET, MBIT processes • High breakdown voltage, large current capacity • Fast switching speed 文件：632.53 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SA1708T-AN	文件：632.53 Kbytes Page：5 Pages	Bipolar Transistor ??0V, ??A, Low VCE(sat) PNP Single PCP Features • Adoption of FBET, MBIT processes • High breakdown voltage, large current capacity • Fast switching speed 文件：632.53 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SA1708T-AN	文件：632.53 Kbytes Page：8 Pages	Bipolar Transistor Adoption of FBET, MBIT processes Features • Adoption of FBET, MBIT processes • High breakdown voltage, large current capacity • Fast switching speed 文件：632.53 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

晶体管资料

型号：
2SA1708
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_LO_SAT
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
120V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
120MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SA1425,2SB1437,2SB1456,
最大耗散功率：
1W
放大倍数：
图片代号：
G-224
vtest：
120
htest：
120000000
atest：
1
wtest：
1

详细参数

型号：
2SA1708
功能描述：
两极晶体管 - BJT BIP PNP 1A 100V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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