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2SA1730	文件：91.68 Kbytes Page：3 Pages	High-Speed Switching Applications High-Speed Switching Applications Features · Adoption of FBET , MBIT processes. · Large current capacity. · Low collector-to-emitter saturation voltage. · Fast switching speed. · Small-sized package. 文件：91.68 Kbytes 页数：3 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SA1730	文件：57.58 Kbytes Page：2 Pages	PNP Epitaxial Planar Silicon Features • Adoption of FBET , MBIT processes. • Large current capacity. • Low collector-to-emitter saturation voltage. • Fast switching speed. • Small-sized package. 文件：57.58 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SA1731	文件：97.21 Kbytes Page：3 Pages	High-Speed Switching Applications High-Speed Switching Applications Features • Adoption of FBET, MBIT processes. • Large current capacity. • Low collector-to-emitter saturation voltage. • Fast switching speed. 文件：97.21 Kbytes 页数：3 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SA1731	文件：322.39 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -40V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 70(Min)@ IC= -0.5A ·Fast switching speed ·Large current capacity APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications 文件：322.39 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA1731	文件：303.36 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -40V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 70(Min)@ IC= -0.5A ·Fast switching speed ·Large current capacity APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications 文件：303.36 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA1731-251	文件：322.39 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -40V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 70(Min)@ IC= -0.5A ·Fast switching speed ·Large current capacity APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications 文件：322.39 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA1731-252	文件：303.36 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -40V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 70(Min)@ IC= -0.5A ·Fast switching speed ·Large current capacity APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications 文件：303.36 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA1732	文件：302.96 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -40V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 70(Min)@ IC= -0.5A ·Fast switching speed ·Large current capacity APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications 文件：302.96 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA1732	文件：321.99 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -40V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 70(Min)@ IC= -0.5A ·Fast switching speed ·Large current capacity APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications 文件：321.99 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA1732	文件：94.56 Kbytes Page：3 Pages	High-Speed Switching Applications High-Speed Switching Applications Features • Adoption of FBET processes. • Large current capacity. • Low collector-to-emitter saturation voltage. • Fast switching speed. 文件：94.56 Kbytes 页数：3 Pages	SANYO 三洋	SANYO

晶体管资料

型号：
2SA1739
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
表面帖装型（SMD）_开关管（S）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
15V
最大电流允许值：
0.05A
最大工作频率：
1.5GHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SA1610,2SA1763,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
15
htest：
1500000000
atest：
0.05
wtest：
0

详细参数

型号：
2SA173
功能描述：
TRANS PNP 15VCEO 50MA SMINI-3
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路
系列：
-
标准包装：
1
晶体管类型：
NPN 电流 -
集电极(Ic)（最大）：
1A 电压 -
集电极发射极击穿（最大）：
30V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：
200mV @ 100mA，1A 电流 -
集电极截止（最大）：
100nA 在某 Ic、Vce
时的最小直流电流增益(hFE)：
300 @ 500mA，5V 功率 -
最大：
710mW 频率 -
转换：
100MHz
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装：
SOT-23-3（TO-236）
包装：
Digi-Reel®
其它名称：
MMBT489LT1GOSDKR

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更多2SA173供应商更新时间2026-3-10 14:32:00

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