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2SA1652	文件：161.79 Kbytes Page：6 Pages	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-SPEED SWITCHING PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-SPEED SWITCHING The 2SA1652 is a mold power transistor developed for highspeed switching and features a very low collector-to-emitter saturation. This transistor is ideal for use in switching power supplies, DC/DC converters, motor drivers, solenoid drive 文件：161.79 Kbytes 页数：6 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SA1652	文件：313.83 Kbytes Page：8 Pages	丝印：HFE2；SILICON POWER TRANSISTOR PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-SPEED SWITCHING The 2SA1652 is a mold power transistor developed for highspeed switching and features a very low collector-to-emitter saturation. This transistor is ideal for use in switching power supplies, DC/DC converters, motor drivers, solenoid 文件：313.83 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SA1652	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistor-Bipolar Power Transistors	Renesas 瑞萨	Renesas
2SA1700	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-252	CJ长电上传：深圳市乐创天科技有限公司	CJ长电
2SA1741	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO220F	RENESAS 瑞萨上传：深圳市正纳电子有限公司	RENESAS

晶体管资料

型号：
2SA1652
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
绝缘（Iso）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
150V
最大电流允许值：
10A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
30W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
150
htest：
999900
atest：
10
wtest：
30

技术参数

NPN/PNP：
PNP
Vcbo (V)：
-150
VCEO (V)：
-100
Vebo (V)：
-7
IC (A) @25 °C：
-10
VCE(sat) (V) max.：
-0.5
hFE min.：
100
hFE max.：
400
Pc (W)：
25
fT (MHz) typ.：
150
Cob (pF) typ.：
250
Package Type：
MP-45
Production Status：
EOL

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