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2SA1365	文件：125.48 Kbytes Page：3 Pages	FOR HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE DESCRIPTION 2SA1235 is a super mini silicon NPN epitaxial type transistor designed with high collector current,small Vce(sat). Complementary with 2SC3440. FEATURE ● Low collector to emitter saturation voltage. VCE(sat)=-0.2V typ ● Excellent linearity of DC forward current gain. ● Super mini 文件：125.48 Kbytes 页数：3 Pages	ISAHAYA 谏早电子	ISAHAYA
2SA1365	文件：38.96 Kbytes Page：1 Pages	Silicon PNP Epitaxia Features ● Low collector to emitter saturation voltage. ● Excellent linearity nof DC forward current gain. ● Super mini package for easy mounting. ● High collector current. ● High gain band width product. 文件：38.96 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SA1365	文件：818.2 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP transistor in a SOT-23 Plastic Package Descriptions Silicon PNP transistor in a SOT-23 Plastic Package. Features Low collector to emitter saturation voltage, excellent linearity of DC forward current Gain, high collector current, high gain band width product. Applications Small type motor drive, relay drive, power supply. 文件：818.2 Kbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
2SA1365	文件：193.21 Kbytes Page：3 Pages	FOR HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE 文件：193.21 Kbytes 页数：3 Pages	ISAHAYA 谏早电子	ISAHAYA
2SA1365	文件：300 bytes Page：1 Pages	三极管	BlueRocket 蓝箭电子	BlueRocket
2SA1365_10	文件：193.21 Kbytes Page：3 Pages	FOR HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE 文件：193.21 Kbytes 页数：3 Pages	ISAHAYA 谏早电子	ISAHAYA
2SA1365_15	文件：846.21 Kbytes Page：2 Pages	PNP Transistors 文件：846.21 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SA1365F	文件：300 bytes Page：1 Pages	TRANSISTOR	AiT-Semi 创瑞科技	AiT-Semi

晶体管资料

型号：
2SA1365
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
表面帖装型（SMD）_通用型（Uni）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
25V
最大电流允许值：
0.7A
最大工作频率：
180MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BDW67,BCW68,2SA1298,2SA1621,2SB624,2SB710,2SB815,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
25
htest：
180000000
atest：
0.7
wtest：
0

技术参数

PC：
150 (mW)
IC：
-700 (mA)
VCBO：
-25 (V)
VCEO：
-20 (V)
VEBO：
-4 (V)
VCE(sat)：
-0.5 (V) -500 IC(mA) -25 IB(mA)
hFE：
-4 VCE (V) -100 IC(mA) 150 MIN. 800 MAX.
fT：
180* (MHz)
封装：
SOT-23 Package

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