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2SA1235A	文件：69.34 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-Encapsulated Transistors FEATURES Power dissipation PCM : 0.2 W (Tamb=25℃) Collector current ICM : -0.2 A Collector-base voltage V(BR)CBO : -60 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：69.34 Kbytes 页数：1 Pages	TEL	TEL
2SA1235A	文件：1.261 Mbytes Page：5 Pages	PNP Plastic-Encapsulate Transistors 文件：1.261 Mbytes 页数：5 Pages	JINGHENG 晶恒	JINGHENG
2SA1235A	文件：87.79 Kbytes Page：3 Pages	丝印：ME；Package：SOT-23；Silicon Epitaxial Planar Transistor 文件：87.79 Kbytes 页数：3 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
2SA1235A	文件：135.88 Kbytes Page：3 Pages	丝印：ME；Package：SOT-23；Silicon Epitaxial Planar Transistor 文件：135.88 Kbytes 页数：3 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
2SA1235A	文件：295.76 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23 BIPOLAR TRANSISTORS TRANSISTOR(PNP) 文件：295.76 Kbytes 页数：2 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON
2SA1235A_08	文件：129.41 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Epitaxial Planar Transistor 文件：129.41 Kbytes 页数：3 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
2SA1235A_12	文件：135.88 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Epitaxial Planar Transistor 文件：135.88 Kbytes 页数：3 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
2SA1235A_15	文件：109.17 Kbytes Page：1 Pages	PNP Silicon Plastic Encapsulated Transistor 文件：109.17 Kbytes 页数：1 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2SA1235A_15	文件：136.14 Kbytes Page：1 Pages	PNP TRANSISTOR 文件：136.14 Kbytes 页数：1 Pages	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN
2SA1235A_17	文件：87.79 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Epitaxial Planar Transistor 文件：87.79 Kbytes 页数：3 Pages	BILIN 银河微电	BILIN

技术参数

Polarity：
PNP
PCM(W)：
0.2
IC(A)：
-0.2
VCBO(V)：
-60
VCEO(V)：
-50
VEBO(V)：
-6
hFEMin：
150
hFEMax：
500
hFE@VCE(V)：
-6
hFE@IC(A)：
-0.001
VCE(sat)(V)：
-0.3
VCE(sat)@IC(A)：
-0.1
VCE(sat)@IB(A)：
-0.01
Package：
SOT-23

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更多2SA1235A供应商更新时间2025-8-11 11:50:00

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