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2SA1210	文件：274.44 Kbytes Page：7 Pages	HIGH VOLTAGE SWITCHING, AF 150W PREDRIVER APPLICATIONS High Voltage Switching, AF 150W predriver Applications Features Adoption of FBET process High breakdown voltage Good linearity of hFE and small Cob Fast switching speed 文件：274.44 Kbytes 页数：7 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SA1210	文件：227.58 Kbytes Page：1 Pages	New Jersey Semi-Conductor Products, New Jersey Semi-Conductor Products 文件：227.58 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SA1213	文件：501.6 Kbytes Page：3 Pages	Power Switching Applications Features ● Low Saturation Voltage: VCE(sat) = -0.5V (max) (IC = -1A) ● High Speed Switching Time: tstg = 1.0us (typ.) ● Small Flat Package ● PC = 1 to 2W (mounted on ceramic substrate) ● Complementary to 2SC2873 文件：501.6 Kbytes 页数：3 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SA1213	文件：227.58 Kbytes Page：1 Pages	New Jersey Semi-Conductor Products, New Jersey Semi-Conductor Products 文件：227.58 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SA1213	文件：289.44 Kbytes Page：3 Pages	PNP Silicon Medium Power Transistor Features Low power dissipation 0.5W Collector Current -2A Stucture Epitaxial planar type. PNP silicon transistor. 文件：289.44 Kbytes 页数：3 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2SA1213	文件：642.52 Kbytes Page：4 Pages	丝印：NY；Package：SOT-89；TRANSISTOR竊늁NP 竊 FEATURES Power dissipation PCM : 0.5 W （ Tamb=25℃） Collector current ICM: -2 A Collector-base voltage V(BR)CBO : -50 V Operating and storage junction temperature range TJ， Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：642.52 Kbytes 页数：4 Pages	KOOCHIN 灏展电子	KOOCHIN
2SA1213	文件：949.08 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP transistor in a SOT-89 Plastic Package Descriptions Silicon PNP transistor in a SOT-89 Plastic Package. Features Low collector saturation voltage, High speed switching time, small flat package, Complementary to 2SC2873. Applications Power amplifier and switching applications. 文件：949.08 Kbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
2SA1213	文件：1.00251 Mbytes Page：4 Pages	PNP Transistors Features ● Low Saturation Voltage: VCE(sat) = -0.5V (max) (IC = -1A) ● High Speed Switching Time: tstg = 1.0us (typ.) ● Small Flat Package ● PC = 1 to 2W (mounted on ceramic substrate) ● Complementary to 2SC2873 文件：1.00251 Mbytes 页数：4 Pages	YFWDIODE 佑风微	YFWDIODE
2SA1213	文件：584.14 Kbytes Page：2 Pages	SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES ● Complementary to 2SC2873 ● Small Flat Package ● Power Amplifier and Switching Applications ● Low Saturation Voltage ● High Speed Switching Time 文件：584.14 Kbytes 页数：2 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
2SA1213	文件：75.63 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (PNP) TRANSISTOR (PNP) FEATURES Power dissipation PCM : 0.5 W (Tamb=25℃) Collector current ICM : -2 A Collector-base voltage V(BR)CBO : -50 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：75.63 Kbytes 页数：1 Pages	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN

晶体管资料

型号：
2SA1213
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
表面帖装型（SMD）_通用型（Uni）
封装形式：
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
120MHZ
引脚数：
可代换的型号：
2SA1417,2SB1029,2SB1123,2SB1313,3CA4B,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
NO
vtest：
50
htest：
120000000
atest：
2
wtest：
0

技术参数

Polarity：
PNP
VCEO(Max)(V)：
-50
IC(Max)(A)：
-2
hFE(Min)：
70
hFE(Max)：
240
VCE(sat)(Max)(V)：
-0.5
fT(Typ.)(MHz)：
120
ComplementaryProduct：
2SC2873
Comments：
Rank is specified by hFE range.
Number of pins：
3
Surface mount package：
Y
Package name：
PW-Mini
Width×Length×Height(mm)：
4.6 x 4.2 x 1.6

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更多2SA121供应商更新时间2026-3-11 18:38:00

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