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2SA1094	文件：125.92 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With MT-200 package ·Complement to type 2SC2564 APPLICATIONS ·For power amplifier applications 文件：125.92 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SA1095	文件：125.6 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With MT-200 package ·Complement to type 2SC2565 ·High breakdown voltage ·High transition frequency APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Recommended for 100W high-fidelity audio frequency amplifer output stage 文件：125.6 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SA1095	文件：181.09 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With MT-200 package ·Complement to type 2SC2565 ·High breakdown voltage ·High transition frequency APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Recommended for 100W high-fidelity audio frequency amplifer output stage 文件：181.09 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA1095	文件：175.85 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With MT-200 package ·Complement to type 2SC2565 ·High breakdown voltage ·High transition frequency APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Recommended for 100W high-fidelity audio frequency amplifer output stage 文件：175.85 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SA1096	文件：207.46 Kbytes Page：5 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-126 package ·Complement to type 2SC2497/2SC2497A APPLICATIONS ·For low-frequency power amplification 文件：207.46 Kbytes 页数：5 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SA1096	文件：127.09 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION •High Collector-Emitter Breakdown Voltage- V(BR)CEo = -50V(Min) •Good Linearity of hFE •Complement to Type2SC2497 APPLICATIONS •Designed for low-frequency power amplification 文件：127.09 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SA1096	文件：144.74 Kbytes Page：5 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION · With TO-126 package ·Complement to type 2SC2497/2SC2497A APPLICATIONS ·For low-frequency power amplification 文件：144.74 Kbytes 页数：5 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SA1096	文件：70.03 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN epitaxial planar type(For low-frequency power amplification) Silicon NPN epitaxial planar type, For low-frequency power amplification, Complementary to 2SA1096 and 2SA1096A Features 1. High collector to emitter voltage VCEO 2. TO-126B package which requires no insulation plate for installation to the heat sink 文件：70.03 Kbytes 页数：4 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SA1096	文件：189.74 Kbytes Page：5 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-126 package ·Complement to type 2SC2497/2SC2497A APPLICATIONS ·For low-frequency power amplification 文件：189.74 Kbytes 页数：5 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA1096A	文件：70.03 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN epitaxial planar type(For low-frequency power amplification) Silicon NPN epitaxial planar type, For low-frequency power amplification, Complementary to 2SA1096 and 2SA1096A Features 1. High collector to emitter voltage VCEO 2. TO-126B package which requires no insulation plate for installation to the heat sink 文件：70.03 Kbytes 页数：4 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC

晶体管资料

型号：
2SA1096(A)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
70V
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
150MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD246C,2SA1141,2SA1146,2SA1186,2SB655,2SB681,
最大耗散功率：
5W
放大倍数：
图片代号：
B-21
vtest：
70
htest：
150000000
atest：
2
wtest：
5

技术参数

Maximum DC Collector Current：
2A
Maximum Collector Emitter Voltage：
50V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
1@0.15A@1.5AV
Material：
Si
Configuration：
Single

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