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2SA1008	文件：109.67 Kbytes Page：6 Pages	SILICON POWER TRANSISTOR PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-SPEED SWITCHING The 2SA1008 is a mold power transistor developed for high-speed switching, and is ideal for use as a driver in devices such as switching regulators, DC/DC converters, and high-frequency power amplifiers. FEATURES • Low collector saturati 文件：109.67 Kbytes 页数：6 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SA1008	文件：260.69 Kbytes Page：8 Pages	SILICON POWER TRANSISTOR PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-SPEED SWITCHING FEATURES • Low collector saturation voltage • Fast switching speed • Complementary transistor: 2SC2331 文件：260.69 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SA1008	文件：135.97 Kbytes Page：5 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220 package • Complement to type 2SC2331 • Low collector saturation voltage • Fast switching speed APPLICATIONS • Switching regulators • DC/DC converters • High frequency power amplifiers 文件：135.97 Kbytes 页数：5 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA1008	文件：222.31 Kbytes Page：5 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220 package • Complement to type 2SC2331 • Low collector saturation voltage • Fast switching speed APPLICATIONS • Switching regulators • DC/DC converters • High frequency power amplifiers 文件：222.31 Kbytes 页数：5 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SA1008	文件：190.97 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • Low Collector Saturation Voltage- : VcEjsatr -0.6V(Max.)@ lc=-1A • Fast Switching Speed • Complement to Type 2SC2331 APPLICATIONS • Designed for use as a driver in devices such as switching regulators, DC/DC converters, and high-frequency power amplifiers. 文件：190.97 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SA1008	文件：142.34 Kbytes Page：5 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220 package • Complement to type 2SC2331 • Low collector saturation voltage • Fast switching speed APPLICATIONS • Switching regulators • DC/DC converters • High frequency power amplifiers 文件：142.34 Kbytes 页数：5 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SA1009	文件：179.53 Kbytes Page：3 Pages	PNP SILICON POWER TRANSISTORS SEMICONDUCTOR SELECTION GUIDE Microcomputer IC Memory Semi-Custom IC Particular Purpose IC General Purpose Linear IC Transistor / Diode / Thyristor Microwave Device / Consumer Use High Frequency Device Optical Device Packages Index (Quick Reference by Type N 文件：179.53 Kbytes 页数：3 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SA1009A	文件：179.53 Kbytes Page：3 Pages	PNP SILICON POWER TRANSISTORS SEMICONDUCTOR SELECTION GUIDE Microcomputer IC Memory Semi-Custom IC Particular Purpose IC General Purpose Linear IC Transistor / Diode / Thyristor Microwave Device / Consumer Use High Frequency Device Optical Device Packages Index (Quick Reference by Type N 文件：179.53 Kbytes 页数：3 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SA1001	文件：68.02 Kbytes Page：2 Pages	High Current Capability 文件：68.02 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA1001	文件：179.61 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor 文件：179.61 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI

晶体管资料

型号：
2SA100
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Ge-PNP
性质：
射频/高频放大（HF）_中频放大（ZF）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
0.01A
最大工作频率：
20MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
AF124,AF125,AF126,AF127,AF200,2N3323,2N3324,2N3325,2SA218,2SA219,2SA220,2SA221,2SA222,2SA223,2SA224,2SA225,2SA226,2SA227,3AG95A,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
C-47
vtest：
40
htest：
20000000
atest：
0.01
wtest：
0

技术参数

Maximum Transition Frequency：
80(Typ)MHz
Maximum Power Dissipation：
1500mW
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum DC Collector Current：
1.5A
Maximum Collector Emitter Voltage：
250V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
1@50mA@500mAV
Maximum Collector Base Voltage：
250V
Material：
Si
Configuration：
Single
Category：
Bipolar Power

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