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2SA1008	文件：190.97 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION •LowCollectorSaturationVoltage-:VcEjsatr-0.6V(Max.)@lc=-1A •FastSwitchingSpeed •ComplementtoType2SC2331 APPLICATIONS •Designedforuseasadriverindevicessuchasswitchingregulators,DC/DCconverters,andhigh-frequencypoweramplifiers.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
2SA1008	文件：260.69 Kbytes Page：8 Pages	SILICON POWER TRANSISTOR PNPSILICONEPITAXIALTRANSISTOR FORHIGH-SPEEDSWITCHING FEATURES •Lowcollectorsaturationvoltage •Fastswitchingspeed •Complementarytransistor:2SC2331	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SA1008	文件：109.67 Kbytes Page：6 Pages	SILICON POWER TRANSISTOR PNPSILICONEPITAXIALTRANSISTORFORHIGH-SPEEDSWITCHING The2SA1008isamoldpowertransistordevelopedforhigh-speedswitching,andisidealforuseasadriverindevicessuchasswitchingregulators,DC/DCconverters,andhigh-frequencypoweramplifiers. FEATURES •Lowcollectorsaturati	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
2SA1008	文件：135.97 Kbytes Page：5 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-220package •Complementtotype2SC2331 •Lowcollectorsaturationvoltage •Fastswitchingspeed APPLICATIONS •Switchingregulators •DC/DCconverters •Highfrequencypoweramplifiers	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SA1008	文件：222.31 Kbytes Page：5 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-220package •Complementtotype2SC2331 •Lowcollectorsaturationvoltage •Fastswitchingspeed APPLICATIONS •Switchingregulators •DC/DCconverters •Highfrequencypoweramplifiers	JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 锦美电子泉州锦美电子有限公司	JMNIC
2SA1008	文件：142.34 Kbytes Page：5 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-220package •Complementtotype2SC2331 •Lowcollectorsaturationvoltage •Fastswitchingspeed APPLICATIONS •Switchingregulators •DC/DCconverters •Highfrequencypoweramplifiers	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SA1009	文件：179.53 Kbytes Page：3 Pages	PNP SILICON POWER TRANSISTORS SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
2SA1009A	文件：179.53 Kbytes Page：3 Pages	PNP SILICON POWER TRANSISTORS SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
2SA1001	文件：68.02 Kbytes Page：2 Pages	High Current Capability	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SA1001	文件：179.61 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI

技术参数

Maximum Transition Frequency：
80(Typ)MHz
Maximum Power Dissipation：
1500mW
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum DC Collector Current：
1.5A
Maximum Collector Emitter Voltage：
250V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
1@50mA@500mAV
Maximum Collector Base Voltage：
250V
Material：
Si
Configuration：
Single
Category：
Bipolar Power

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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