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2SA1006	文件：194.14 Kbytes Page：4 Pages	PNP/NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR PNP/NPN Silicon Epitaxial Transistor (EBT) Audio Frequency Power Amplifier High Frequency Power Amplifier 文件：194.14 Kbytes 页数：4 Pages	NEC 瑞萨	NEC
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2SA1006B	文件：291.33 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·With TO-220 package ·Complement to type 2SC2336,2SC2336A,2SC2336B APPLICATIONS ·Audio frequency power amplifier ·High frequency power amplifier 文件：291.33 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

技术参数

Maximum Transition Frequency：
80(Typ)MHz
Maximum Power Dissipation：
1500mW
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum DC Collector Current：
1.5A
Maximum Collector Emitter Voltage：
250V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
1@50mA@500mAV
Maximum Collector Base Voltage：
250V
Material：
Si
Configuration：
Single
Category：
Bipolar Power

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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