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2SA1006	文件：194.14 Kbytes Page：4 Pages	PNP/NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR PNP/NPN Silicon Epitaxial Transistor (EBT) Audio Frequency Power Amplifier High Frequency Power Amplifier 文件：194.14 Kbytes 页数：4 Pages	NEC 瑞萨	NEC
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2SA1006A	文件：87.06 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·With TO-220 package ·Complement to type 2SC2336,2SC2336A,2SC2336B APPLICATIONS ·Audio frequency power amplifier ·High frequency power amplifier 文件：87.06 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
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2SA1006B	文件：291.33 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·With TO-220 package ·Complement to type 2SC2336,2SC2336A,2SC2336B APPLICATIONS ·Audio frequency power amplifier ·High frequency power amplifier 文件：291.33 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

晶体管资料

型号：
2SA100
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Ge-PNP
性质：
射频/高频放大（HF）_中频放大（ZF）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
0.01A
最大工作频率：
20MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
AF124,AF125,AF126,AF127,AF200,2N3323,2N3324,2N3325,2SA218,2SA219,2SA220,2SA221,2SA222,2SA223,2SA224,2SA225,2SA226,2SA227,3AG95A,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
C-47
vtest：
40
htest：
20000000
atest：
0.01
wtest：
0

技术参数

Maximum Transition Frequency：
80(Typ)MHz
Maximum Power Dissipation：
1500mW
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum DC Collector Current：
1.5A
Maximum Collector Emitter Voltage：
250V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
1@50mA@500mAV
Maximum Collector Base Voltage：
250V
Material：
Si
Configuration：
Single
Category：
Bipolar Power

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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