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2PB709BSL	文件：971.34 Kbytes Page：13 Pages	Marking：MP；Package：SOT23；50 V, 200 mA PNP general-purpose transistors Featuresandbenefits CollectorcurrentIC≤−200mA Twocurrentgainselections AEC-Q101qualified SmallSMDplasticpackage	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
2PB709BSL,215	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 50V 0.2A TO236AB	Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.
2PB709	文件：42 Kbytes Page：8 Pages	PNPgeneralpurposetransistor DESCRIPTION PNPtransistorinanSC-59plasticpackage.NPNcomplement:2PB601A. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.45V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
2PB709A	文件：281 Kbytes Page：7 Pages	PNPgeneralpurposetransistor FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.45V).	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
2PB709A	文件：40.4 Kbytes Page：2 Pages	SILICONSWICHINGDIODE Features ●Lowcurrent(max.100mA) ●Lowvoltage(max.45V).	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2PB709A	文件：42 Kbytes Page：8 Pages	PNPgeneralpurposetransistor DESCRIPTION PNPtransistorinanSC-59plasticpackage.NPNcomplement:2PB601A. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.45V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
2PB709AQ	文件：42 Kbytes Page：8 Pages	PNPgeneralpurposetransistor DESCRIPTION PNPtransistorinanSC-59plasticpackage.NPNcomplement:2PB601A. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.45V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
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2PB709AQW	文件：47.59 Kbytes Page：1 Pages	PNPGeneralPurposeTransistor Features ●Highcollectorcurrent(max.100mA). ●Lowcollector-emittersaturationvoltage(max.500mV).	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2PB709AQW	文件：283.39 Kbytes Page：7 Pages	PNPgeneralpurposetransistor FEATURES •Highcollectorcurrent(max.100mA) •Lowcollector-emittersaturationvoltage(max.500mV).	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

详细参数

型号：
2PB709BSL
功能描述：
两极晶体管 - BJT PNP -50 V -200 mA
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	2PB709BSL	NEXPERIA/安世	25+	SOT-23	600000	NEXPERIA/安世全新特价2PB709BSL即刻询购立享优惠#长期有排单订	询价
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更多2PB709BSL供应商更新时间2025-7-24 10:12:00

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