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NPN DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTOR NPN DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/624 文件：62.56 Kbytes 页数：2 Pages | Microsemi 美高森美 | Microsemi | ||
Complimentary Power Transistors in Hermetic Isolated TO-254AA Packages DESCRIPTION: These power transistors are produced by PPCs MULTIPLE DIFFUSED PLANAR process. This technology produces high voltage devices with excellent switching speeds, frequency response, gain linearity, saturation voltages, high current gain, and safe operating areas. These devices have excel 文件：56.56 Kbytes 页数：3 Pages | Microsemi 美高森美 | Microsemi | ||
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PNP DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTOR 文件：55.57 Kbytes 页数：2 Pages | Microsemi 美高森美 | Microsemi | ||
PNP DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTOR 文件：169.54 Kbytes 页数：2 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | NJSEMI | ||
PNP POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR 文件：102.55 Kbytes 页数：2 Pages | Microsemi 美高森美 | Microsemi | ||
PNP POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR 文件：102.55 Kbytes 页数：2 Pages | Microsemi 美高森美 | Microsemi | ||
NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR 文件：165.24 Kbytes 页数：3 Pages | Microsemi 美高森美 | Microsemi | ||
NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR 文件：165.24 Kbytes 页数：3 Pages | Microsemi 美高森美 | Microsemi | ||
Darlington PNP Silicon Power -100V, -12A This specification covers the performance requirements for PNP silicon, high-power Darlington, 2N7371 transistors. Four levels of product assurance (JAN, JANTX, JANTXV and JANS) are provided for each encapsulated device as specified in MIL-PRF-19500/623. The device package outline is a three termina | Microchip 微芯科技 | Microchip |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_功率放大 （L）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
80V
- 最大电流允许值：
5A
- 最大工作频率：
<90MHZ
- 引脚数：
2
- 可代换的型号：
- 最大耗散功率：
58W
- 放大倍数：
- 图片代号：
E-44
- vtest：
80
- htest：
89991000
- atest：
5
- wtest：
58
产品属性
- 产品编号：
2N7373
- 制造商：
Microchip Technology
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 系列：
Military, MIL-PRF-19500/613
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.5V @ 500mA，5A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
50µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
70 @ 2.5A，5V
- 工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-254-3，TO-254AA
- 供应商器件封装：
TO-254AA
- 描述：
POWER BJT
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Microchip Technology |
25+ |
TO-254-3 TO-254AA |
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