| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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7年
留言
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Microchip Technology / AtmelN/A |
6843 |
25+ |
样件支持,可原厂排单订货! |
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8年
留言
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Microchip Technology / AtmelN/A |
6895 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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15年
留言
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MOTOROLA/摩托罗拉CAN3 |
67500 |
专业铁帽 |
铁帽原装主营-可开原型号增税票 |
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15年
留言
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MOTOROLA/摩托罗拉CAN3 |
67500 |
专业铁帽 |
铁帽原装主营-可开原型号增税票 |
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15年
留言
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MOTOROLA/摩托罗拉CAN3 |
1200 |
专业铁帽 |
原装铁帽专营,代理渠道量大可订货 |
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17年
留言
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MOTCAN |
7000 |
24+ |
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5年
留言
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GeneSiC SemiconductorTO276AA |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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16年
留言
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MOTCAN |
50000 |
2023+ |
全新原装现货 |
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6年
留言
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INFINEON |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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3年
留言
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INFINEON |
7000 |
23+ |
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14年
留言
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INFINEON |
6000 |
26+ |
原装现货 |
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15年
留言
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MOTCAN3 |
4326 |
2602+ |
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存! |
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10年
留言
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MOTOROLACAN3 |
1200 |
24+ |
原装现货假一罚十 |
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MOTOROLA/摩托罗拉CAN3 |
5000 |
23+ |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
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1年
留言
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SIGNETICSTSSOP-14 |
8000 |
25+ |
原厂原包装,终端BOM表可配单 |
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2年
留言
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SPRAGUE2CAN-3P |
8000 |
26+ |
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6年
留言
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GENESICTO-276 |
7 |
25+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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6年
留言
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GENESICTO-276 |
7 |
25+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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15年
留言
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MOTOROLA/摩托罗拉CAN3 |
67500 |
专业铁帽 |
铁帽原装主营-可开原型号增税票 |
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15年
留言
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MOTOROLA/摩托罗拉CAN3 |
67500 |
专业铁帽 |
铁帽原装主营-可开原型号增税票 |
2N76采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
2N76图片
2N7638-GA价格
2N7638-GA价格:¥1506.7853品牌:GeneSiC
生产厂家品牌为GeneSiC的2N7638-GA多少钱,想知道2N7638-GA价格是多少?参考价:¥1506.7853。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,2N7638-GA批发价格及采购报价,2N7638-GA销售排行榜及行情走势,2N7638-GA报价。
2N760A中文资料Alldatasheet PDF
更多2N760A制造商:CENTRAL 制造商全称:Central Semiconductor Corp 功能描述:Small Signal Transistors
2N760B功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-18
2N7622U2制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:RADIATION HARDENED LOGIC LEVEL POWER MOSFET SURFACE MOUNT(SMD-2)
2N7632UC制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:RADIATION HARDENED60V, Combination 1N-1P-CHANNELLOGIC LEVEL POWER MOSFET
2N7635-GA功能描述:两极晶体管 - BJT SiC High Temp SJT 650V 4A 225 Degree C RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2N7636-GA功能描述:两极晶体管 - BJT SiC High Temp SJT 650V 4A 225 Degree C RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2N7637-GA功能描述:两极晶体管 - BJT SiC High Temp SJT 650V 7A 225 Degree C RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2N7638制造商:Motorola 功能描述:2N7638 TO92 MOT N9H1C
2N7638-GA功能描述:两极晶体管 - BJT SiC High Temp SJT 650V 8A 225 Degree C RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2N7639-GA功能描述:两极晶体管 - BJT SiC High Temp SJT 650V 15A 225Degree C RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
晶体管资料
- 型号:
- 别名:
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
Ge-PNP
- 性质:
低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)
- 封装形式:
直插封装
- 极限工作电压:
20V
- 最大电流允许值:
0.01A
- 最大工作频率:
<1MHZ或未知
- 引脚数:
3
- 可代换的型号:
AC122,AC125,AC126,AC151,ASY26,ASY27,2N1191,2N1192,2N1193,2N1194,3AX51C,
- 最大耗散功率:
0.05W
- 放大倍数:
- 图片代号:
C-37
- vtest:
20
- htest:
999900
- atest:
0.01
- wtest:
0.05























