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PNP DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTOR | NJS | NJS | ||
Complimentary Power Transistors in Hermetic Isolated TO-254AA Packages | Microchip 微芯科技 | Microchip | ||
Package:TO-254-3,TO-254AA(直引线);包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP DARL 100V 12A TO254 | Microchip 微芯科技 | Microchip | ||
Package:TO-254-3,TO-254AA;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:POWER BJT | Microchip 微芯科技 | Microchip | ||
Package:TO-254-3,TO-254AA;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:POWER BJT | Microchip 微芯科技 | Microchip |
晶体管资料
- 型号:
- 别名:
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
Si-NPN
- 性质:
低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)
- 封装形式:
直插封装
- 极限工作电压:
80V
- 最大电流允许值:
5A
- 最大工作频率:
<90MHZ
- 引脚数:
2
- 可代换的型号:
- 最大耗散功率:
58W
- 放大倍数:
- 图片代号:
E-44
- vtest:
80
- htest:
89991000
- atest:
5
- wtest:
58
产品属性
- 产品编号:
2N7373
- 制造商:
Microchip Technology
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 系列:
Military, MIL-PRF-19500/613
- 包装:
散装
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
1.5V @ 500mA,5A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
50µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
70 @ 2.5A,5V
- 工作温度:
-65°C ~ 200°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-254-3,TO-254AA
- 供应商器件封装:
TO-254AA
- 描述:
POWER BJT
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Microchip Technology |
25+ |
TO-254-3 TO-254AA |
9350 |
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IR |
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TO3P |
8000 |
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TO3P |
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IR |
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