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2N7002V	文件：315.18 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFET Features •Lowgatethresholdvoltage •Lowinputcapacitance •Lowon-resistance •Lowinput/outputleakage •Marking:KAS •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoistureSensitivityLevel1 •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2N7002V	文件：87.8 Kbytes Page：3 Pages	DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
2N7002V	文件：1.23223 Mbytes Page：5 Pages	MOSFET(N-Channel) SOT-563Plastic-EncapsulateMOSFETS FEATURE •DualN-channelMOSFET •Lowon-resistance •Lowgatethresholdvoltage •Lowinputcapacitance •Fastswitchingspeed •Lowinput/outputleakage APPLICATION •LoadSwitchforPortableDevices •DC/DCConverter	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
2N7002V	文件：426.91 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelMOSFET	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2N7002V	文件：531.93 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET GeneralFeatures VDS=60V,ID=0.115A RDS(ON)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
2N7002VA	文件：244.48 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor Features •DualN-ChannelMOSFET •LowOn-Resistance •LowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •LeadFreeByDesign/RoHSCompliant	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2N7002VA	文件：87.8 Kbytes Page：3 Pages	DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
2N7002VAC	文件：160.19 Kbytes Page：3 Pages	DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Features •DualN-ChannelMOSFET •LowOn-Resistance •LowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Gr	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
2N7002VC	文件：160.19 Kbytes Page：3 Pages	DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Features •DualN-ChannelMOSFET •LowOn-Resistance •LowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Gr	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
2N7002VC	文件：130.78 Kbytes Page：3 Pages	DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

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详细参数

型号：
2N7002PW
功能描述：
MOSFET 60V 0.3A N-CHANNEL TRENCH MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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