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2N7002T	文件：583.44 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=60V ●ID=115mA ●RDS(ON)	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
2N7002T	文件：3.09825 Mbytes Page：5 Pages	SOT-523Plastic-EncapsulateMOSFET N-ChannelMOSFET Features ●HighdensitycelldesignforLowRDS(on) ●Voltagecontrolledsmallsignalswitch ●Ruggedandreliable ●Highsaturationcurrentcapability ●ESDprotected Applications ●DC/DCConverter ●LoadSwitchforPortableDevices ●BatterySwitch	HDSEMIJiangsu High diode Semiconductor Co., Ltd 苏海德半导体苏海德半导体有限公司	HDSEMI
2N7002T	文件：1.11805 Mbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=60V ●ID=115mA ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2N7002T	文件：359.47 Kbytes Page：2 Pages	SOT-523Plastic-EncapsulateMOSFETS MOSFET(N-Channel) FEATURES ●HighdensitycelldesignforlowRDS(ON) ●Voltagecontrolledsmallsignalswitch ●Ruggedandreliable ●Highsaturationcurrentcapability ●Pb-Freepackageisavailable RoHSproductforpackingcodesuffixG Halogenfreeproductforpackingcodesuffi	WILLASWILLAS ELECTRONIC CORP 威伦威伦电子股份有限公司	WILLAS
2N7002T	文件：196.81 Kbytes Page：2 Pages	MOSFET(N-Channel) FEATURES Powerdissipation PD:0.15W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ID:115mA Collector-basevoltage VDS:60V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
2N7002T	文件：162.91 Kbytes Page：3 Pages	300mA,60VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2N7002T	文件：191.05 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelPlastic-EncapsulateMOSFETS FEATURES ●HighDensityCellDesignforLowRDS(ON) ●VoltageControlledSmallSignalSwitch ●RuggedandReliable ●HighSaturationCurrentCapability APPLICATION ●LoadSwitchforPortableDevices ●DC/DCConverter	SECELECTRONICS SEC Electronics Inc.	SECELECTRONICS
2N7002T	文件：1.18325 Mbytes Page：5 Pages	SOT-523Plastic-EncapsulateMOSFETS MOSFET(N-Channel) FEATURE ●HighdensitycelldesignforlowRDS(ON) ●Voltagecontrolledsmallsignalswitch ●Ruggedandreliable ●Highsaturationcurrentcapability APPLICATION ●LoadSwitchforPortableDevices ●DC/DCConverter	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
2N7002T	文件：1.2579 Mbytes Page：3 Pages	Voltagecontrolledsmallsignalswitch Features ■HighdensitycelldesignforlowRDS(ON) ■Voltagecontrolledsmallsignalswitch ■Ruggedandreliable ■Highsaturationcurrentcapability Applications ■LoadSwitchforPortableDevices ■DC/DCConverter	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
2N7002T	文件：1.00398 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •LowThreshold:2V(typ.) •LowInputCapacitance:25pF •FastSwitchingSpeed:25ns •LowInputandOutputLeakage •TrenchFET®PowerMOSFET •1200VESDProtection •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC BENEFITS •Low	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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详细参数

型号：
2N7002PW
功能描述：
MOSFET 60V 0.3A N-CHANNEL TRENCH MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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