2N7002V分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列规格书PDF中文资料

2N7002V属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列。由美台半导体制造生产的2N7002V晶体管 - FET，MOSFET - 阵列场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。

特性 Features

• Dual N-Channel MOSFET

• Low On-Resistance

• Low Gate Threshold Voltage

• Low Input Capacitance

• Fast Switching Speed

• Low Input/Output Leakage

• Ultra-Small Surface Mount Package

• Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 2)

• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

• Green Device (Note 3 and 4)