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2N7002AKRA-Q	文件：317.65 Kbytes Page：15 Pages	60V,dualN-channelTrenchMOSFET 1.Generaldescription DualN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inanultrasmallDFN1412-6 (SOT1268)leadlessSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFET technology. 2.Featuresandbenefits •Logic-levelcompatible •Veryfastswitching •Trench	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
2N7002AQ	文件：240.84 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Description ThisMOSFETisdesignedtominimizetheon-stateresistance(RDS(ON))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. FeaturesandBenefits •LowOn-Resistance •LowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
2N7002AX	文件：304.6 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features •N-ChannelMOSFET •LowOn-Resistance •LowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •ESDProtectedupto1kV •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101Stand	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
2N7002B	文件：242.78 Kbytes Page：6 Pages	N-CHannelEnhancementModeMOSFET	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
2N7002B	文件：886.78 Kbytes Page：4 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateMOSFETS FEATURE HighdensitycelldesignforlowRDS(ON) Voltagecontrolledsmallsignalswitch Ruggedandreliable Highsaturationcurrentcapability	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
2N7002B	文件：440.66 Kbytes Page：4 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateMOSFETS FEATURE HighdensitycelldesignforlowRDS(ON) Voltagecontrolledsmallsignalswitch Ruggedandreliable Highsaturationcurrentcapability	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
2N7002BK	文件：1.742 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
2N7002BK	文件：7.23256 Mbytes Page：5 Pages	60VN-ChannelEnhancementModeMOSFET Description ●TrenchPowerMVMOSFETtechnology ●Voltagecontrolledsmallsignalswitch ●LowinputCapacitance ●FastSwitchingSpeed ●LowInput/OutputLeakage GeneralFeatures ●VDS60V ●ID300mA ●RDS(ON)(atVGS=10V)	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
2N7002BK	文件：737.7 Kbytes Page：16 Pages	60V,350mAN-channelTrenchMOSFET 1.1Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmall SOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusing TrenchMOSFETtechnology. 1.2Featuresandbenefits Logic-levelcompatible Veryfastswitching TrenchMOSFETtechnology ESDpr	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
2N7002BK	文件：1.01958 Mbytes Page：3 Pages	60VN-ChannelMosfet Application Directlogic-levelinterface:TTL/CMOS Drivers:relays,solenoids,lamps,hammersdisplay, memories,transistors,etc. Batteryoperatedsystems Solid-staterelays	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC

详细参数

型号：
2N7002,215
功能描述：
MOSFET N-CH TRNCH 60V 300MA
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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深圳市高捷芯城科技有限公司	2N7002,215	恩XP	24+	标准封装	11048	全新原装正品/价格优惠/质量保障	询价
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