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2N6667	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP DARL 60V 10A TO220	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N6667_05	文件：80.83 Kbytes Page：6 Pages	Darlington Silicon Power Transistors PNP SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS 10 A, 60??0 V, 65 W Darlington Silicon Power Transistors Designed for general−purpose amplifier and low speed switching applications. • High DC Current Gain − hFE = 3500 (Typ) @ IC = 4.0 Adc • Collector−Emitter Sustaining Voltage − @ 200 mAdc VCEO(sus) = 60 Vdc (Min) − 2N6667 = 80 文件：80.83 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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2N6667_07	文件：102.89 Kbytes Page：6 Pages	Darlington Silicon Power Transistors 文件：102.89 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N6667_14	文件：119.55 Kbytes Page：6 Pages	Darlington Silicon Power Transistors 文件：119.55 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N6667G	文件：119.55 Kbytes Page：6 Pages	Darlington Silicon Power Transistors 文件：119.55 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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晶体管资料

型号：
2N6667
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+Darl
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
8A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD646,BD898,BDW74A,BDX54A,
最大耗散功率：
65W
放大倍数：
β>1000
图片代号：
B-84
vtest：
60
htest：
999900
atest：
8
wtest：
65

产品属性

产品编号：
2N6667
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 100mA，10A
电流 - 集电极截止（最大值）：
1mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 5A，3V
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
TRANS PNP DARL 60V 10A TO220

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