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2N6388	文件：111.88 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220C package ·Complement to type 2N6666/6667/6668 ·DARLINGTON ·High DC current gain ·Low collector saturation voltage APPLICATIONS ·Designed for general-purpose amplifier and low speed switching applications 文件：111.88 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2N6388	文件：259.149 Kbytes Page：2 Pages	PLASTIC MEDIUM-POWER SILICON TRANSISTORS DARLINGTON 8 AND 10 AMPERE NPN SILICON POWER TRANSISTORS 40-60-80 VOLTS 65 WATTS 文件：259.149 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N6388	文件：94.87 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220C package ·Complement to type 2N6666/6667/6668 ·DARLINGTON ·High DC current gain ·Low collector saturation voltage APPLICATIONS ·Designed for general-purpose amplifier and low speed switching applications 文件：94.87 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N6388	文件：94.07 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220C package ·Complement to type 2N6666/6667/6668 ·DARLINGTON ·High DC current gain ·Low collector saturation voltage APPLICATIONS ·Designed for general-purpose amplifier and low speed switching applications 文件：94.07 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N6388	文件：128.21 Kbytes Page：6 Pages	Plastic Medium-Power Silicon Transistors These devices are designed for general−purpose amplifier and low−speed switching applications. Features • High DC Current Gain − hFE = 2500 (Typ) @ IC = 4.0 Adc • Collector−Emitter Sustaining Voltage − @ 100 mAdc VCEO(sus) = 60 Vdc (Min) − 2N6387 = 80 Vdc (Min) − 2N6388 • Low Collector−Emit 文件：128.21 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N6388	文件：49.2 Kbytes Page：4 Pages	SILICON NPN POWER DARLINGTON TRANSISTOR DESCRIPTION The device is a silicon Epitaxial-Base NPN power transistor in monolithic Darlington configuration mounted in Jedec TO-220 plastic package. It is inteded for use in low and medium frequency power applications. ■ STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPE ■ NPN DARLINGTON ■ H 文件：49.2 Kbytes 页数：4 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
2N6388	文件：111.84 Kbytes Page：5 Pages	SILICON NPN POWER DARLINGTON TRANSISTOR 文件：111.84 Kbytes 页数：5 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
2N6388	文件：623.48 Kbytes Page：4 Pages	NPN Darlington Power Transistor 文件：623.48 Kbytes 页数：4 Pages	MCC	MCC
2N6388	文件：96.46 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：96.46 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N6388	文件：101.9 Kbytes Page：6 Pages	Plastic Medium-Power Silicon Transistors 文件：101.9 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

晶体管资料

型号：
2N6388
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
10A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD267A,BD647,BD699,BD899,BDW73B,BDX53B,
最大耗散功率：
65W
放大倍数：
β>1000
图片代号：
B-10
vtest：
80
htest：
999900
atest：
10
wtest：
65

产品属性

产品编号：
2N6388
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 100mA，10A
电流 - 集电极截止（最大值）：
1mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 5A，3V
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
TRANS NPN DARL 80V 10A TO220

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