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2N6378

isc Silicon PNP Power Transistor

文件:264.2 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

2N6379

Low Collector Saturation Voltage

文件:53.36 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

2N6371

Transistor

Comset

2N6371HV

TO-3 Power Package Transistors (NPN)

未知品牌

2N6373

Package:TO-213AA,TO-66-2;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 60V 6A TO66

MICROCHIP

微芯科技

2N6374

Package:TO-213AA,TO-66-2;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 40V 6A TO66

MICROCHIP

微芯科技

2N6377

包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:PNP TRANSISTOR

MICROCHIP

微芯科技

晶体管资料

  • 型号:

    2N637

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Ge-PNP

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    40V

  • 最大电流允许值:

    5A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    2

  • 可代换的型号:

    AL102,AL103,AUY28,2N1529,2N1534,2N1545,2N1546,2N1547,2N1548,2N3611,3AD56B,

  • 最大耗散功率:

    60W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    E-44

  • vtest:

    40

  • htest:

    999900

  • atest:

    5

  • wtest:

    60

技术参数

  • Maximum Power Dissipation:

    200000mW

  • Maximum Operating Temperature:

    175°C

  • Maximum Emitter Base Voltage:

    6V

  • Maximum DC Collector Current:

    25A

  • Maximum Collector Emitter Voltage:

    150V

  • Maximum Collector Emitter Saturation Voltage:

    1@1A@10A

  • Maximum Collector Base Voltage:

    180V

  • Material:

    Si

  • Configuration:

    Single

  • Category:

    Bipolar Power

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更多2N637供应商 更新时间2026-1-17 16:30:00