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2N6373	文件：114.96 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N5954 and 2N6372 SERIES types are complementary Silicon Power Transistors manufactured by the epitaxial base process, mounted in a hermetically sealed metal case designed for general purpose amplifier and switching applications. MARKING: FULL PART NUMBER 文件：114.96 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N6373	文件：51.32 Kbytes Page：1 Pages	Power Transistors Power Transistors TO-66 Case 文件：51.32 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N6373	文件：131.65 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-66 package • Low collector saturation voltage • Excellent safe operating area APPLICATIONS • Designed for switching and wide-band amplifier applications 文件：131.65 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N6373	文件：157.21 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-66 package • Low collector saturation voltage • Excellent safe operating area APPLICATIONS • Designed for switching and wide-band amplifier applications 文件：157.21 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2N6374	文件：157.21 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-66 package • Low collector saturation voltage • Excellent safe operating area APPLICATIONS • Designed for switching and wide-band amplifier applications 文件：157.21 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2N6374	文件：203.33 Kbytes Page：2 Pages	Silicon N-P-N and P-N-P Medium-Power Transistors Silicon N-P-N AND P-N-P Medium-Power Transistor General-Purpose Types for Switching Applications 文件：203.33 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N6374	文件：115.27 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-66 package • Low collector saturation voltage • Excellent safe operating area APPLICATIONS • Designed for switching and wide-band amplifier applications 文件：115.27 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N6374	文件：131.65 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-66 package • Low collector saturation voltage • Excellent safe operating area APPLICATIONS • Designed for switching and wide-band amplifier applications 文件：131.65 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N6374	文件：51.32 Kbytes Page：1 Pages	Power Transistors Power Transistors TO-66 Case 文件：51.32 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N6374	文件：114.96 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N5954 and 2N6372 SERIES types are complementary Silicon Power Transistors manufactured by the epitaxial base process, mounted in a hermetically sealed metal case designed for general purpose amplifier and switching applications. MARKING: FULL PART NUMBER 文件：114.96 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL

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晶体管资料

型号：
2N637
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Ge-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
2
可代换的型号：
AL102,AL103,AUY28,2N1529,2N1534,2N1545,2N1546,2N1547,2N1548,2N3611,3AD56B,
最大耗散功率：
60W
放大倍数：
图片代号：
E-44
vtest：
40
htest：
999900
atest：
5
wtest：
60

技术参数

Maximum Power Dissipation：
200000mW
Maximum Operating Temperature：
175°C
Maximum Emitter Base Voltage：
6V
Maximum DC Collector Current：
25A
Maximum Collector Emitter Voltage：
150V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
1@1A@10A
Maximum Collector Base Voltage：
180V
Material：
Si
Configuration：
Single
Category：
Bipolar Power

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	2N637	MOT	24+	TO-3	10000		询价
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深圳市粤骏腾电子科技有限公司	2N6370	MOTOROLA/摩托罗拉	24+		277	现货供应	询价
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深圳市百诺芯科技有限公司	2N6370	MOTOROLA/摩托罗拉	23+	TO-59	8510	原装正品代理渠道价格优势	询价

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