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NPN POWER SILICON TRANSISTOR NPN POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/509 文件：57.33 Kbytes 页数：2 Pages | MICROSEMI 美高森美 | MICROSEMI | ||
POWER TRANSISTORS NPN SILICON . . . designed for use in industrial−military power amplifier and switching circuit applications. • High Collector−Emitter Sustaining Voltage − VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) − 2N6338 = 150 Vdc (Min) − 2N6341 • High DC Current Gain − hFE = 30 − 120 @ IC = 10 Adc = 12 (Min) @ IC = 25 Adc • Low Collec 文件：155.37 Kbytes 页数：4 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | ||
High-Power NPN Silicon Transistors . . . designed for use in industrial−military power amplifier and switching circuit applications. • High Collector−Emitter Sustaining Voltage − VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) − 2N6338 = 150 Vdc (Min) − 2N6341 • High DC Current Gain − hFE = 30 − 120 @ IC = 10 Adc = 12 (Min) @ IC = 25 Adc • Low Collec 文件：135.54 Kbytes 页数：5 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | ||
HIGH-POWER NPN SILICON TRANSISTORS 25 AMPERE POWER TRANSISTOR NPN SILICON 100-150 VOLTS 200 WATTS 文件：134.72 Kbytes 页数：3 Pages | BOCA 博卡 | BOCA | ||
POWER TRANSISTOR(25A,200W) 25 AMPERE POWER TRANSISTOR NPN SILICON 100-150 VOLTS 200 WATTS 文件：128.77 Kbytes 页数：3 Pages | MOSPEC 统懋 | MOSPEC | ||
Bipolar Transistor Description: High Power TO-3, NPN, Silicon Transistor designed for use in industrial military power amplifier and switching circuit applications. Features: • Low Collector Saturation Voltage Vce = 1V (Max.) @ Ic = 10A • High DC Current Gain hfe = 30 to 120 @ Ic = 20mA Description High Po 文件：291.66 Kbytes 页数：2 Pages | MULTICOMP 易络盟 | MULTICOMP | ||
Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • High DC current gain • Fast switching times • Low collector saturation voltage • Complement to type 2N6436~38 APPLICATIONS • For use in industrial-military power amplifier and switching circuit applications 文件：160.67 Kbytes 页数：3 Pages | JMNIC 锦美电子 | JMNIC | ||
25 AMPERE POWER TRANSISTORS 25 AMPERE POWER TRANSISTORS NPN SILICON 100, 120, 140, 150 VOLTS 200 WATTS 文件：198.75 Kbytes 页数：2 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | NJSEMI | ||
High-Power NPN Silicon Transistors . . . designed for use in industrial−military power amplifier and switching circuit applications. • High Collector−Emitter Sustaining Voltage − VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) − 2N6338 = 150 Vdc (Min) − 2N6341 • High DC Current Gain − hFE = 30 − 120 @ IC = 10 Adc = 12 (Min) @ IC = 25 Adc • Low Collec 文件：135.54 Kbytes 页数：5 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | ||
TRIACS Silicon Bidirectional Triode Thyristors TRIACs 8 AMPERES RMS 200 thru 800 VOLTS .. . designed primarily for full-wave ac control applications, suchas light dimmers, motorcontrols,heating controls and power supplies; or wherever full-wave silicon gate controlled solid-state devices are needed. Triac type thyristors switch from a blo 文件：114.76 Kbytes 页数：6 Pages | MOTOROLA 摩托罗拉 | MOTOROLA |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Triac
- 性质：
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
600V
- 最大电流允许值：
8A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
MAC222-8,T2802M,TIC226M,TXD10K60,
- 最大耗散功率：
- 放大倍数：
- 图片代号：
B-10
- vtest：
600
- htest：
999900
- atest：
8
- wtest：
0
详细参数
- 型号：
2N634
- 功能描述：
双向可控硅 THY 8A 600V TRIAC
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 开启状态：
RMS
- 电流(It_RMS)：
16 A
- 不重复通态电流：
120 A 额定重复关闭状态电压
- VDRM：
600 V
- 关闭状态漏泄电流（在VDRM_IDRM下）：
5 uA
- 开启状态电压：
保持电流（Ih
- 最大值）：
45 mA
- 栅触发电压(Vgt)：
1.3 V
- 栅触发电流(Igt)：
1.75 mA
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
TO-220AB
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MOT |
24+ |
3983 |
询价 | ||||
ON |
17+ |
TO220 |
6200 |
100%原装正品现货 |
询价 | ||
MOTOROLA |
24+ |
TO-3 |
1850 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
MOTOROLA |
专业铁帽 |
TO-3 |
1850 |
原装铁帽专营,代理渠道量大可订货 |
询价 | ||
MOTOROLA/摩托罗拉 |
专业铁帽 |
TO-3 |
67500 |
铁帽原装主营-可开原型号增税票 |
询价 | ||
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TO-220-3 |
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MOTOROLA |
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TO-220AB |
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TO-TO-220 |
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询价 |
