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2N6341分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

2N6341

参数属性

2N6341 封装/外壳为TO-204AA,TO-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 150V 25A TO204

功能描述

POWER TRANSISTORS NPN SILICON
TRANS NPN 150V 25A TO204

封装外壳

TO-204AA,TO-3

文件大小

155.37 Kbytes

页面数量

4

生产厂商

ONSEMI

中文名称

安森美半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2026-2-2 22:59:00

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晶体管资料

  • 型号:

    2N6341

  • 别名:

    2N6341三极管、2N6341晶体管、2N6341晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    开关管 (S)_功率放大 (L)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    180V

  • 最大电流允许值:

    25A

  • 最大工作频率:

    >40MHZ

  • 引脚数:

    2

  • 可代换的型号:

    BDW34,2N6277,3DK210D,

  • 最大耗散功率:

    200W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    E-44

  • vtest:

    180

  • htest:

    40000100

  • atest:

    25

  • wtest:

    200

2N6341规格书详情

2N6341属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由安森美半导体制造生产的2N6341晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

. . . designed for use in industrial−military power amplifier and switching circuit applications.

• High Collector−Emitter Sustaining Voltage − VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) − 2N6338 = 150 Vdc (Min) − 2N6341

• High DC Current Gain − hFE = 30 − 120 @ IC = 10 Adc = 12 (Min) @ IC = 25 Adc

• Low Collector−Emitter Saturation Voltage − VCE(sat) = 1.0 Vdc (Max) @ IC = 10 Adc

• Fast Switching Times @ IC = 10 Adc

tr = 0.3 ms (Max)

ts = 1.0 ms (Max)

tf = 0.25 ms (Max)

• Pb−Free Packages are Available

产品属性

更多
  • 产品编号:

    2N6341

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    管件

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.8V @ 2.5A,25A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    50µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    30 @ 10A,2V

  • 频率 - 跃迁:

    40MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-204AA,TO-3

  • 供应商器件封装:

    TO-204(TO-3)

  • 描述:

    TRANS NPN 150V 25A TO204

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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