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深圳市高捷芯城科技有限公司

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onsemi(安森美)TO-220

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深圳市高捷芯城科技有限公司

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2N6403G

ON(安森美)标准封装

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嘉宏桦电子(深圳)有限公司

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2N6404G

ON(安森美)NA

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深圳市得捷芯城科技有限公司

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2N6405G

ONSEMITO-220AB

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深圳市富利微电子科技有限公司

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2N6404G

LITTELFUSE/力特NA

30000

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房间原装现货特价热卖,有单详谈

惠州市朝青芯薇电子科技有限公司

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2N6405G

ON(安森美)NA

18000

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原装

深圳市科恒伟业电子有限公司

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2N6400G

ON/安森美NA

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深圳市恒凯威科技开发有限公司

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2N6400G

ON/安森美NA

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2N6405G

ONTO-2203LEADSTANDA

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2N6400

MOT

1

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深圳市川科科技有限公司

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2N6405G

LITTELFUSE-力特TO-220-3

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2N6405G

LITTELFUSE/力特

30098

2407+

全新原装!仓库现货,大胆开价!

深圳市川科科技有限公司

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2N6402G

LITTELFUSE-力特TO-220-3

9328

24+25+/26+27+
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深圳市宇创芯科技有限公司

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2N6403G

ON/安森美TO-220

9600

24+

原装现货,优势供应,支持实单!

深圳诚思涵科技有限公司

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2N6405G

ON(安森美)标准封装

5000

23+

原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品

深圳市纳立科技有限公司

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2N6404G

1983

三年内

只做原装正品

艾睿（深圳）半导体有限公司

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2N6403G

LITTELFUSE/力特SMD

100500

2447

一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货

深圳市亚泰盈科电子有限公司

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2N6403

MOTTO-220

16800

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原装现货

千层芯半导体(深圳)有限公司

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2N6401

ONSMD

5500

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2N6401G价格

2N6401G价格：￥3.4794品牌：ONSemi

生产厂家品牌为ONSemi的2N6401G多少钱，想知道2N6401G价格是多少？参考价：￥3.4794。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，2N6401G批发价格及采购报价，2N6401G销售排行榜及行情走势，2N6401G报价。

2N6401中文资料Alldatasheet PDF

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2N6400功能描述:SCR 50V 16A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在VDRM_IDRM下）:5 uA 开启状态:RMS 电流(It_RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压(Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流(Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube

2N6400_04制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Silicon Controlled Rectifiers SCRs 16 AMPERES RMS 50 thru 800 VOLTS

2N6400_12制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors 50 thru 800 VOLTS

2N6400G功能描述:SCR 50V 16A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在VDRM_IDRM下）:5 uA 开启状态:RMS 电流(It_RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压(Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流(Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube

2N6401功能描述:SCR 100V 16A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在VDRM_IDRM下）:5 uA 开启状态:RMS 电流(It_RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压(Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流(Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube

2N6401G功能描述:SCR 100V 16A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在VDRM_IDRM下）:5 uA 开启状态:RMS 电流(It_RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压(Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流(Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube

2N6401MOT86制造商:Motorola 功能描述:2N6401

2N6401RCA85制造商:RCA 功能描述:2N6401 S9G4B

2N6402功能描述:SCR 200V 16A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在VDRM_IDRM下）:5 uA 开启状态:RMS 电流(It_RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压(Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流(Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube

2N6402G功能描述:SCR 200V 16A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在VDRM_IDRM下）:5 uA 开启状态:RMS 电流(It_RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压(Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流(Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube

晶体管资料

  • 型号：

    2N640

  • 别名：

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家：

  • 制作材料：

    Ge-PNP

  • 性质：

    射频/高频放大 （HF）

  • 封装形式：

    直插封装

  • 极限工作电压：

    34V

  • 最大电流允许值：

    0.01A

  • 最大工作频率：

    42MHZ

  • 引脚数：

    3

  • 可代换的型号：

    AF124,AF125,AF126,AF200,2N3323,2N3324,2N3325,3AG95A,

  • 最大耗散功率：

    0.08W

  • 放大倍数：

  • 图片代号：

    C-36

  • vtest：

    34

  • htest：

    42000000

  • atest：

    0.01

  • wtest：

    0.08

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