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2N6301P

Package:TO-213AA,TO-66-2;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:POWER BJT

MICROCHIP

微芯科技

2N6301SMD

COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

文件:33.33 Kbytes 页数:2 Pages

SEME-LAB

JANTX2N6301

PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR

文件:64.25 Kbytes 页数:2 Pages

MICROSEMI

美高森美

JANTXV2N6301

PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR

文件:64.25 Kbytes 页数:2 Pages

MICROSEMI

美高森美

产品属性

  • 产品编号:

    2N6301P

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    3V @ 80mA,8A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    500µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    750 @ 4A,3V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-213AA,TO-66-2

  • 供应商器件封装:

    TO-66(TO-213AA)

  • 描述:

    POWER BJT

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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Microchip Technology
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更多2N6301P供应商 更新时间2026-1-18 11:06:00