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2N6313	文件：196.45 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARY SILICON MEDIUM-POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON MEDIUM-POWER TRANSISTORS ..designed for general-purpose power amplifier and switching applications. FEATURES: * Low Collector-Emitter Saturation Voltage VCE(sat)= 0.7 V (Max.) @ lc = 1.5A * Excellent DCCurrent Gain hFE = 25-100 @ lc = 1.5 A * LowLeakage Current- lcex =0. 文件：196.45 Kbytes 页数：4 Pages	BOCA 博卡	BOCA
2N6313	文件：51.32 Kbytes Page：1 Pages	Power Transistors Power Transistors TO-66 Case 文件：51.32 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N6313	文件：132 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-66 package • Low collector saturation voltage • Low leakage current APPLICATIONS • Designed for general-purpose power amplifier and switching applications 文件：132 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N6314	文件：132 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-66 package • Low collector saturation voltage • Low leakage current APPLICATIONS • Designed for general-purpose power amplifier and switching applications 文件：132 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N6314	文件：95.36 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARY SILICON MEDIUM-POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON MEDIUM-POWER TRANSISTORS ..designed for general-purpose power amplifier and switching applications. FEATURES: * Low Collector-Emitter Saturation Voltage VCE(sat)= 0.7 V (Max.) @ lc = 1.5A * Excellent DCCurrent Gain hFE = 25-100 @ lc = 1.5 A * LowLeakage Current- lcex = 文件：95.36 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N6314	文件：116.18 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-66 package • Low collector saturation voltage • Low leakage current APPLICATIONS • Designed for general-purpose power amplifier and switching applications 文件：116.18 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N6314	文件：15.17 Kbytes Page：1 Pages	Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO66 Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO66 Metal Package. Bipolar PNP Device. VCEO = 80V IC = 5A 文件：15.17 Kbytes 页数：1 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
2N6314	文件：51.32 Kbytes Page：1 Pages	Power Transistors Power Transistors TO-66 Case 文件：51.32 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N6314	文件：189.54 Kbytes Page：4 Pages	POWER TRANSISTORS(5A,75W) COMPLEMENTARY SILICON MEDIUM-POWER TRANSISTORS ..designed for general-purpose power amplifier and switching applications. FEATURES: * Low Collector-Emitter Saturation Voltage VCE(sat)= 0.7 V (Max.) @ lc = 1.5A * Excellent DCCurrent Gain hFE = 25-100 @ lc = 1.5 A * LowLeakage Current- lcex =0. 文件：189.54 Kbytes 页数：4 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC
2N6314	文件：196.45 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARY SILICON MEDIUM-POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON MEDIUM-POWER TRANSISTORS ..designed for general-purpose power amplifier and switching applications. FEATURES: * Low Collector-Emitter Saturation Voltage VCE(sat)= 0.7 V (Max.) @ lc = 1.5A * Excellent DCCurrent Gain hFE = 25-100 @ lc = 1.5 A * LowLeakage Current- lcex =0. 文件：196.45 Kbytes 页数：4 Pages	BOCA 博卡	BOCA

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晶体管资料

型号：
2N6352
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl
性质：
开关管（S）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
2
可代换的型号：
最大耗散功率：
25W
放大倍数：
β>2000
图片代号：
E-43
vtest：
80
htest：
999900
atest：
5
wtest：
25

产品属性

产品编号：
2N6352
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
描述：
NPN TRANSISTOR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市弘为电子有限公司	2N6352	MOT/MSC	24+	TO66-3P	650	原装现货假一罚十	询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	2N6352	MOT/UNI	23+	3脚铁帽	5000	原装正品,假一罚十	询价
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