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2N6339	文件：128.77 Kbytes Page：3 Pages	POWER TRANSISTOR(25A,200W) 25 AMPERE POWER TRANSISTOR NPN SILICON 100-150 VOLTS 200 WATTS 文件：128.77 Kbytes 页数：3 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC
2N6339	文件：198.75 Kbytes Page：2 Pages	25 AMPERE POWER TRANSISTORS 25 AMPERE POWER TRANSISTORS NPN SILICON 100, 120, 140, 150 VOLTS 200 WATTS 文件：198.75 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N6339	文件：115.38 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • Fast switching times • Low collector saturation voltage • Complement to type 2N6436~38 APPLICATIONS • For use in industrial-military power amplifier and switching circuit applications 文件：115.38 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N6340	文件：115.38 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • Fast switching times • Low collector saturation voltage • Complement to type 2N6436~38 APPLICATIONS • For use in industrial-military power amplifier and switching circuit applications 文件：115.38 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N6340	文件：155.37 Kbytes Page：4 Pages	POWER TRANSISTORS NPN SILICON . . . designed for use in industrial−military power amplifier and switching circuit applications. • High Collector−Emitter Sustaining Voltage − VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) − 2N6338 = 150 Vdc (Min) − 2N6341 • High DC Current Gain − hFE = 30 − 120 @ IC = 10 Adc = 12 (Min) @ IC = 25 Adc • Low Collec 文件：155.37 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N6340	文件：134.72 Kbytes Page：3 Pages	HIGH-POWER NPN SILICON TRANSISTORS 25 AMPERE POWER TRANSISTOR NPN SILICON 100-150 VOLTS 200 WATTS 文件：134.72 Kbytes 页数：3 Pages	BOCA 博卡	BOCA
2N6340	文件：128.77 Kbytes Page：3 Pages	POWER TRANSISTOR(25A,200W) 25 AMPERE POWER TRANSISTOR NPN SILICON 100-150 VOLTS 200 WATTS 文件：128.77 Kbytes 页数：3 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC
2N6340	文件：49.64 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= 100V(Min)- 2N6338 = 120V(Min)- 2N6339 = 140V(Min)- 2N6340 = 160V(Min)- 2N6341 • High Switching Speed • Low Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.0V(Max)@ IC= 10A APPLICATIONS •Designed for use in industrial-military power amplifier 文件：49.64 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N6340	文件：160.67 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • High DC current gain • Fast switching times • Low collector saturation voltage • Complement to type 2N6436~38 APPLICATIONS • For use in industrial-military power amplifier and switching circuit applications 文件：160.67 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2N6340	文件：198.75 Kbytes Page：2 Pages	25 AMPERE POWER TRANSISTORS 25 AMPERE POWER TRANSISTORS NPN SILICON 100, 120, 140, 150 VOLTS 200 WATTS 文件：198.75 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI

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晶体管资料

型号：
2N6352
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl
性质：
开关管（S）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
2
可代换的型号：
最大耗散功率：
25W
放大倍数：
β>2000
图片代号：
E-43
vtest：
80
htest：
999900
atest：
5
wtest：
25

产品属性

产品编号：
2N6352
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
描述：
NPN TRANSISTOR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	2N6352	MOT/UNI	24+		2113		询价
深圳市弘为电子有限公司	2N6352	MOT/MSC	24+	TO66-3P	650	原装现货假一罚十	询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	2N6352	MOT/UNI	23+	3脚铁帽	5000	原装正品,假一罚十	询价
深圳市宝芯创电子有限公司	2N6352	TX	18+	TO3	12500	全新原装正品,本司专业配单,大单小单都配	询价
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